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表面波等离子体特性的研究 孙 冰 大连海事大学环境学院 大连市凌海路1号 s女生88@Ⅱ￡塑盟堑!：d!m!：!血：鲤 刘剑丽 大连海事大学经管学院 大连市凌海路l号 浅香敏夫 株式会社IDX 励术县 568．113 Abstract Thecharacteristicsofsurfacewave withdirect microwavehavebeen plasma matching this of and havebeen invesitgated．Instudy，theplasmadensityair，heliumargongas measured．The of reached distributionof plasmadensityargon 8xlO“／cm3．Thedensity large area havebeenstudied． plasma ～．引言 子体，研究了沿着表面传播的空间电荷波。首次对空间电荷波的电磁场的构成和分布状况进行了理 论和实验研究[1]。这些空间电荷波的电场强度由丁集中在等离子体的表面，所以叫做表面波，生成 的等离子体称作表面波等离子体。近几年，关于表面波等离子体的研究开发受到人们的重视，用表 面波等离子体装置实现了电子密度在10“一10”／cm3的高密度等离子体，部分装置已经应用于光刻机 等实际产品。但是，表面波等离子生成过程中表面波的作用，能量吸收机理等很多不清楚的地方尚 需探讨。而且，为了实现高效，大面积，密度均一等离子体，人们注意的焦点集中在如何设计微波 天线发射部，天线与等离子体结合部的最佳设计，及表面波等离子体的生成和诊断的研究上[2，3]。 这些研究也是今后研究开发的重要发展趋势。 大面积半导体晶片的超微细加工处理所必需的等离子体源，除了保证等离子体放电的安定性及再 现性以外，还要求低压等离子体高密度化，大面积化和均匀化。为了满足这些要求各种等离子体源 的开发相继出现。利用表面波的微波等离子体源就是被看好具有应用前景的一种。他的特点是①无 放电电极插入，对被处理物无污染；②与ECR或He!icene放电不同，不需外磁场；③易生成高密度 等离子体：④利用表面波的传播，用较小的开口进行的天线发射，可得到较大面积的等离子体。 本文研究了从大面积真空容器上部直接照射方式产生的表面波等离子体的特性。给出了这种方 式等离子体的着火条件，密度特性和密度分布。这种表面波等离子体已成功应用于离子加工机，作 为离子引出源，获得了高密度离子束。 二．实验装置和实验方法 k 表面波等离子体的实验装置如图1所示，所用橇器由l w微波发生器(2450MHz，IDX裂)一 套，环形吸收器，功率监测器和3销钉调节器组成。微波输出0-1000W连续可调。直径为120ram的等 离子体放电腔由不锈钢制成，大气压和放电腔之间由石英玻璃分离，微波注入采用真空容器上部直 接照射方式。实验气体采用氩、氮，氢及甲烷气体，用气体微调阀调节气体流量。等离子体的密度 测量采用探头LPM一60(Lamgmuir 极用由l珊铂金，探头部照持如图2所示。Lamgmuirprobe测量回路的构成如图3，髦源采用髦流 鼋庄可正可负的4象限鼋源。电源输出鼋压鼋流分别为_+60V、0．5A。为防lE探针被氧化，采用负 偏压方式。 在实验之前，需要将真空系统预处理，使其真空达到lo．‘Pa以上。并用纯氮气置换5分钟。 图1表面波的微波等离子体 囡2 Lamgmuir probe探头部 鼋流表 探头 ．3 Lamgmuirprobe 电子温度的计算： 指数函数领域内的霞流值Il，其电流的e倍(约2．7倍)所对应鼋压变为△V 那么，电子温度Te可用下面的公式计算。 等离子体 ：利用上面计算的电子温度(ev)、饱和电子鼋流Ie