汽车电器基础培训课件..pptVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
汽车电器基础培训课件.

MITSUBISHI PEL/M2 电工技术 基础知识 电压与电流 直流电(DC) 交流电(AC) 电阻 导体、绝缘体与半导体 电路基础知识 欧 姆 定 律 电位的概念 电路中某点的电位就是该点与零电位点(参考点)之间的电压。 右图中A,B两点的电压为:Uab=Va-Vb 式中Va为A点的电位,V b为B点的电位。 电位的计算 额定值是制造厂商为了使产品能在给定的条件下正常运行而规定的正常允许值。 在使用电气设备或元件时,电压、电流、功率的实际值不一定等于它们的额定值 电阻串并联联接的等效变换 在电路中,电阻的联接形式是多种 多样的,其中最简单和最常用的是串联 与并联。具有串、并联关系的电阻电路 总可以等效变化成一个电阻。 电子技术 基础知识 半导体的导电特性 N型半导体和P型半导体 计算图中所示电阻电路的等效电阻R,并求电流 I 和I5 。 例题 电路基础知识 可以利用电阻串联与并联的特征对电路进行简化 (a) (b) (c) (d) 解 电路基础知识 由(d)图可知 , (c) 由(c) 图可知 电路基础知识 半导体:导电能力介乎于导体和绝缘 体之 间的物质。 半导体特性:热敏特性、光敏特性、 掺杂特性 电子技术基础知识 N型半导体 在硅或锗的晶体中掺入微量的磷(或其它五价元素)。 自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。 电子型半导体或N型半导体 Si Si P+ Si 多余电子 电子技术基础知识 P型半导体 在硅或锗晶体中掺入硼(或其它三价元素)。 空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子。 空穴型半导体或P型半导体。 Si Si B- Si 空穴 电子技术基础知识 PN结 PN结的形成 自由电子 P N 空穴 电子技术基础知识 PN结是由扩散运动形成的 PN结的形成 自由电子 P N 空间电荷区 内电场方向 空穴 电子技术基础知识 扩散运动和漂移运动的动态平衡 扩散强 漂移运动增强 内电场增强 两者平衡 PN结宽度基本稳定 外加电压 平衡破坏 扩散强 漂移强 PN结导通 PN结截止 电子技术基础知识 PN结的单向导电性 1 外加正向电压使PN结导通 PN结呈现低阻导通状态,通过PN结的电流基本是多子的扩散电流——正向电流 – + 变窄 P N 内电场 方向 外电场方向 R I 电子技术基础知识 2 外加反向电压使PN结截止 PN结呈现高阻状态,通过PN结的电流是少子的漂移电流 ----反向电流 特点: 受温度影响大 原因: 反向电流是靠热激发产生的少子形成的 + - 变 宽 P N 内电场 方向 外电场方向 R I=0 电子技术基础知识 结 论 PN结具有单向导电性 (1) PN结加正向电压时,处在导通状态,结电阻很低,正向电流较大。 (2)PN结加反向电压时,处在截止状态,结电阻很高,反向电流很小。 电子技术基础知识 半导体二极管 基本结构 PN结 阴极引线 铝合金小球 金锑合金 底座 N型硅 阳极引线 面接触型 引线 外壳 触丝 N型锗片 点接触型 表示符号 电子技术基础知识 伏安特性 正向 O 0.4 0.8 U/V I/mA 80 60 40 20 -50 -25 I/μA -20 -40 反向 死区电压 击穿电压 半导体二极管的伏安特性是非线性的。 电子技术基础知识 正向 O 0.4 0.8 U/V I/mA 80 60 40 20 -50 -25 I/μA -20 -40 反向 死区电压 击穿电压 死区电压: 硅管:0.5伏左右,锗管: 0.1伏左右。 正向压降: 硅管:0.7伏左右,锗管: 0.2~ 0.3伏。 1 正向特性 电子技术基础知识 反向电流: 反向饱和电流: 反向击穿电压U(BR) 正向 O 0.4 0.8 U/V I/mA 80 60 40 20 -50 -25 I/μA -20 -40 反向 死区电压 击穿电压 2 反向特性 点接触型的击穿电压约为几十伏; 面接触型的击穿电压约为几百伏。 电子技术基础知识 PEL/M2 认识汽车电路图 常用检测工具的使用 电子技术基础知识 电路基础知识 电工技术基础知识 页码 内容 目 录 水面高度差 水流 电流 电压 A B 电工技术基础知识 方向与大小不变的直流电 方向不变,大小脉动

文档评论(0)

a888118a + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档