集成电路制造技术_第七章外延-微电子学院微电子实验教学中心-首页.pptVIP

第七章 外延 主 讲：毛 维 mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院 绪论 定义：在单晶衬底上，按衬底晶向生长一层新的单 晶薄膜的工艺技术。 外延层：衬底上新生长的单晶层。 外延片：生长了外延层的衬底硅片。 应用 ①双极器件与电路： 轻掺杂的外延层——较高的击穿电压； 重掺杂的衬底降低集电区的串联电阻。 ②CMOS电路： 避免了闩锁效应：降低漏电流。 绪论 外延的分类 ①按工艺分类： 气相外延（VPE）：硅的主要外延工艺； 液相外延（LPE）：Ⅲ-Ⅴ化合物的外延； 固相外延（SPE）：离子注入退火过程； 分子束外延（MBE，Molecular Beam Epitaxy） ②按材料分类 同质外延：外延层与衬底的材料相同，如 Si上外延Si，GaAs上外延GaAs； 异质外延：外延层与衬底的材料不相同，如 Si上外延SiGe 或 SiGe上外延Si； 蓝宝石上外延Si-- SOS(Silicon o