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位错与向错的定义 单晶体滑移 滑移是指在外力作用下晶体沿某些特定的晶面和晶向相对滑开的形变方式。 用扫描电镜观察到形变钴单晶的表面形貌 用光学显微镜观察经7%形变的铝的表面图象?140 在变形时，如果晶体在滑移面两侧相对滑过，则在滑移面上所有的键都要破断来产生永久的位移 。据此，可以估算滑移所需要的临界分切应力。 这一过程的宏观描述 这一过程的原子尺度的描述 理论切变强度的估算 假设能量曲线是正弦形式。这样，要使原子面相对切开所需要的切应力?表达为 在弹性变形范围，应力和应变服从胡克定律： 式中G是切变模量，对于各向同性弹性体，它等于拉梅系数?，?是切应变。?可以近似为x/a，a是2个相对切动的面的面间距。上式变成 即 因为原子间的斥力的短程性，能量曲线不是正弦形的，所以上面的估计是过高的，?c的更合理值约为G/30。理论切变强度和切变模量相差约1个数量级。但是，实验测定的切变强度比理论切变强度低2~4个数量级。 一些金属的理论强度与实验强度的比较 晶体 理论强度（G/30）GPa 实验强度/MPa 理论强度 /实验强度 Ag 2.64 0.37 ～7?103 Al 2.37 0.78 ～3?103 Cu 4.10 0.49 ～8?103 Ni 6.70 3.2～7.35 ～2?103 Fe 7.10 27.5 ～3?102 Mo 11.33 71.6 ～2?102 Nb 3.48 33.3 ～1?102 Cd 2.07 0.57 ～4?103 Mg （柱面滑移） 1.47 39.2 ～4?10 Ti （柱面滑移） 3.54 13.7 ～3?102 Be （基面滑移） 10.32 1.37 ～8?103 Be （柱面滑移） 10.32 52 ～2?102 晶体的实际强度和理论计算的强度相差几个数量级，人们就设想晶体中一定存在某种缺陷，因它的存在和它的运动引起晶体的晶体的永久变形。 晶体变形的宏观现象： ①形变的晶体学性（即晶体在固定的晶面和晶向滑移）； ②形变的不均匀性和不连续性，即变形不是在整个晶体各处发生； ③形变滑移的传播性，形变时，观察到滑移线（带）是从无到有，由浅到深，由短到长（即），数目由少到多； ④滑移服从临界分切应力定律（以后会介绍，对于体心立方晶体，会发生例外） ⑤温度对临界分切应力有显著的影响，等等。 设想的这种缺陷结构及特性必需和上述观察到的宏观变形现象相符。 早在知道有序介质材料中存在线缺陷之前，在20世纪初数学家沃特拉（V.Volterra）就提出了线缺陷的概念和模型，他是研究连续弹性介质中的一个半割面两侧变形后从新粘合后的数学奇异性问题。“制造”沃特拉线缺陷的过程的步骤如下： ①在弹性体内割开一个以C为界的割面S。 ②使割面两岸相对位移D(r)。在相对移动过程中两岸不发生歪曲变形。 ③割面两侧位移后，如果产生空隙，在空隙中填满相同的物质；如果产生重叠，把多余的物质去掉。 ④把割面的两岸重新粘合，并去除操作过程所加的外力。 经这样的操作后就产生内应力场，其内应力沿C环是不连续奇异性的，C环称为沃特拉线缺陷。 这个线缺陷的弹性性质显然取决于位错环C的位置以及产生位错时割面两侧的相对位移D(r)。但是，无论割面两侧位移多大，周界的应力是无限大的。为了避免周界这样的应力发散，一般沿周界挖一个空心管道，这个非常小的空心管道区域就是介质中的线缺陷。 线缺陷是晶体（有序介质）中原子（或分子）出现的严重错排仅集中在线附近的小区域内，远离这条线只有弹性畸变，并且这些畸变随着离开这条线的距离而急剧减小。可以把严重错排区域用类似一个“管道”来描述，这个管道的直径通常仅有几个原子间距，并贯穿于有序介质之中。在管道内，原子间的坐标与在完整有序介质中很不同，而在管道之外的原子的坐标接近于完整有序介质。这里的所谓管道“内部”和管道“外部”之间并无明确界线，它们之间是逐渐过渡的，并且管道的截面也不一定是圆形。管道“内部”这个定义不很精确的区域是线缺陷的核心 还要注意的是，“产生”线缺陷的沃特拉过程只是用以描述线缺陷的奇异性本质，以及描述线缺陷的结构，而实际的线缺陷并不是用沃特拉过程的方式产生的。 两岸的相对位移D(r)一般能分解为一个平移分量b和一个转动分量?=w?r，r是原点在割面上的矢径。如果D(r)只有平移分量，则形成的位错称平移位错（Dislocation）；如果D(r)只有旋转分量，则形成的位错称旋转位错，简称为向错（Dislination）。 实在晶体并不是真正的连续介质，它存在各向异性及结构的不连续，所以在Volterra过程中的D(r)不是任意的