超大规模集成电路复习资料 -.docVIP

1，电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 2，MOS管的工作原理 VgsVtn, 晶体管截止 Vgs(Vtn，晶体管开启，设Vgs保持不变。 （1）当Vds=0时，S、DIds=0。 Vds0时，Ids由D流向S，IdsVds变化基本呈线性关系。 （3）当VdsVgs-Vtn时，由于沟道电阻Rc正比于沟道长度L，Leff=L-(L变化不大，Rc基本不变，沟道上的电压降（Vgs-Vtn）基本保持不变。所以，Ids=(Vgs-Vtn)/Rc不变，即电流Ids基本保持不变，出现饱和现象。 （4）当Vds增大到一定极限时，由于电压过高，晶体管被雪崩击穿，电流急剧增加。 3，影响漏极电流Ids大小的因素 1）源、漏之间的距离； （2）沟道宽度； （3）开启电压VT； （4）栅绝缘氧化层的厚度； （5）栅绝缘层的介电常数； （6）载流子（电子或空穴）的迁移率μ 4， NMOS管：Vtn0 增强型 Vtn0 耗尽型 PMOS管：Vtp0 增强型 Vtp0 耗尽型 按负载元件：电阻负载、增强负载、耗尽负载和互补负载。 按负载元件和驱动元件之间的关系：有比反相器和无比反相器。 5， CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联组成。通常P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。 若输入vI为低电平(如0V)，则负载管导通，输入管截止，输出电压接近VDD。 若输入vI为高电平(如VDD)，则输入管导通，负载管截止，输出电压接近0V。 6，为了有良好的噪声容限，要求Vth=Vdd/2。CMOS反相器有以下优点： （1）传输特性理想，过渡区比较陡 （2）逻辑摆幅大：Voh=Vdd, Vol=0 （3）一般Vth位于电源Vdd的中点，即Vth=Vdd/2， （4）只要在状态转换为b—e段时两管才同时导通，才有电流通过，因此功耗很小。 （5）速度快。上升时间tr：恒流充电 下降时间tf （6）CMOS反相器是利用p、nCMOS反相器是无比（Ratio-Less） 9， 阈值电压 概念上讲, VT就是将栅极下面的Si表面从P型Si变为N型Si所必要的电压。 10，衬偏效应对阈值电压的影响： 当MOS反型层厚度达到最大时，外加衬底偏压栅压可以使场感应PN结的耗尽层厚度增大，空间电荷密度增加，即沟道内电荷减少，跨导降低，从而导致器件的阈值电压升高。 11，阈值电压影响因素 栅极导电材料 栅极绝缘材料 栅极绝缘材料厚度 通道掺杂浓度 衬偏效应 12， 沟道长度调制效应 MOS晶体管处于饱和区中，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大，这种效应称为沟道长度调制效应。 13，这样高的输入阻抗，使MOS电路具有很可贵的特性： 当一个MOS管驱动后面的MOS电路时，由于后面不取电流，所以静态负载能力很强。 由于输入阻抗很高，使栅极漏电流很小。 14， 二阶效应出于两种原因： 1) 当器件尺寸缩小时，电源电压还得保持为5V，于是，平均电场强度增加了，引起了许多二次效应。 2) 当管子尺寸很小时，这些小管子的边缘相互靠在一起，产生了非理想电场，也严重地影响了它们的特性。 15， 迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度。 16，一个反相器驱动与之相同的另一个反相器时所产生的延迟时间称为“本征延迟时间”。 1、静态功耗：由反向漏电流造成的功耗。 2、动态功耗：由CMOS开关的瞬态电流和负载电容的充放电造成的功耗。 18，静态功耗 组成部分：1.亚阈漏电流 2.栅极漏电流 3.源漏极反偏漏电流 动态功耗 组成部分：1.逻辑跳变引起的电容功耗；2.通路延迟引起的竞争冒险功耗；3.电路瞬间导通引起的短路功耗 19，闸流效应的控制 减小β值：增加横向PNP管的基极宽度，减小其电流放大倍数βpnp ②采用伪收集极： ③采用保护环 20， 21，NMOS传输高电平 输出电压：有阈值损失 工作在饱和区，但是电流不恒定 低效传输高电平(电平质量差，充电电流小) 22， NMOS传输低电平 输出电压：没有阈值损失 先工作在饱和区，后进入线形区 高效传输低电平 （电平质量好，充电电流大） 23， 24， 随机读写存储器优点：读写方便，使用灵活。 缺点：一旦断电，数据丢失。 25 SRAM和DRAM对比 SRAM：工作速度快，掉电信息不消失，一经写入可多次读出，但