半导体材料第7讲-化合物半导体1PPT.pptVIP

半导体材料;第六章　III－V族化合物半导体;III一V族化合物半导体是由周期表中IIIA和VA族元素化合而成。 几乎在与锗、硅等第一代元素半导体材料的发展和研究的同时，科学工作者对化合物半导体材料也开始了大量的探索工作。 　　1952年Welker等人发现Ⅲ族和Ⅴ族元素形成的化合物也是半导体，而且某些化合物半导体如GaAs、InP等具有Ge、Si所不具备的优越特性(如电子迁移率高、禁带宽度大等等)，可以在微波及光电器件领域有广泛的应用，因而开始引起人们对化合物半导体材料的广泛注意。 　　但是，由于这些化合物中含有易挥发的Ⅴ族元素，材料的制备远比Ge、Si等困难。到50年代末，科学工作者应用水平布里奇曼法(HB)、温度梯度法(GF)和磁耦合提拉法生长出了GaAs、InP单晶，但由于晶体太小不适于大规模的研究。 　　1962年Metz等人提出可以用液封直拉法(LEC)来制备化合物半导体晶体，1965~1968年Mullin等人第一次用三氧化二硼(B2O3)做液封剂，用LEC法生长了GaAs、InP等单晶材料，为以后生长大直径、高质量Ⅲ-Ⅴ族单晶打下了基础。 ;化合物半导体材料砷化镓;步入黄金时代 ;砷化镓应用领域;砷化镓应用领域;GaN材料的特性;GaN;GaN应用前景;为什么高亮度LED如此受重视?这是因为LED光电转换效率高，亮灭响应速度快，因而大大降低电力消耗，一般情况下，钨丝灯泡发光效率为20 lm/W（光通量 /电功率），萤光灯为60~80 lm/W，而蓝光LED为120 lm/W，是灯泡电力消耗的1/6，萤光灯的1/2。 　　城市中商店，公司，机关，办公室，街道，娱乐场所，道路等照明用电量约占整个电力消耗的20%。据日本估计，如交通信号灯，霓红灯，广告牌及半数的白炽灯和萤光灯由LED代替，2010年，将削减能源(换算为石油)约8亿L。由此可见，LED在节约能源，减少污染!改善人们的生活环境等方面都有着重大的意义。;GaP的应用;磷化铟; InP是直接带隙、闪锌矿结构的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，能带宽度室温下为1.35eV。与其晶格匹配的InAsP、InGaAs的带隙对应于1.3~1.6mm波段，以InP材料为衬底制作的波长范围在1.1~1.7mm的发光二极管，PIN光电探测器在SiO2~GeO2光纤通信系统中色散近似为零，传输损耗最低，已经并将不断在日益发展的光纤通信系统中发挥其重要作用。 　　由于InP材料具有电子漂移速度快，负阻效应显著等特点，除制作光电器件、光电集成电路(OEIC)外，更是制作微波器件、高速、高频器件(HEMT，HBT等)的理想衬底材料。高场条件下(~104Vcm)InP材料具有转移电子效应(体效应)，作为转移电子效应器件(TED)材料，InP比GaAs更为理想。 ;InP与GaAs相比较;InP单晶材料的主要应用领域;;InP材料的热导率比GaAs高(分别为0.7、455Wcm.K)。因此InP基的器件可有较大的输出功率。 InP材料局域态密度比GaAs小,易于形成n型反型层,更适于制作高速微波器件器件。 　　InP作为太阳能电池材料有较高的理论转换效率，尤其抗辐射性能比GaAs、Si等更为优越,特别适于空间应用，在地球同步轨道上运行10年，3种材料的太阳能电池在太空辐射条件下功率损失存在极为显著的差别，Si为25%，GaAs为10%~25%，InP为0。因此美国航空航天署(NASA)已在1999年5月发射的卫星上改用InP材料制作的太阳能电池。;　　从目前来看,绝大部分InP器件是应用于军事领域,随着技术的成熟, 现在正在开发以InP为基的具有市场价格竞争力的用于毫米波数字广播、汽车防撞雷达、无线通信系统、大容量数字链路等大量民用或军民两用产品。这些产品所采用的技术将是SiGaAsInP技术的混合体。可以看出InP在Si、GaAs等材料难以胜任的领域大放异彩。 　　但应该说明的是正像GaAs的发展并不是朝着取代Si的方向发展一样,InP也只是在适合它的性价比和可能的情况下在进行着它自己的发展,而不可能成为某一种半导体材料的替代物。;Ⅲ-V族化合物半导体的晶体结构;闪锌矿型结构; Zn2+(Ga)分布于晶胞之角顶及所有面的中心。 S2-(As)位于晶胞所分成的八个小立方体中的四个小立方体的中心。;金刚石结构;不同角度的金刚石结构图　;　　在闪锌矿结构中，Ⅲ族元素原子与V族元素原子的价电子数是不等的，关于它们之间价键的形成机构有几种说法。 　　一种认为是由V族原子的5个价电子中拿出一个给Ⅲ族原子，然后它们相互作用产生sp3杂化，形成类似金刚石结构的共价键。 　　例如，GaAs的Ga原子得到一个价电子变成Ga-，As原子给出一个价电子变成As+离子。它们按上述说法键合时，虽说是以共