模拟电子技术第1章半导体器件..pptVIP

图1-27 vGS=0时，漏源电压vDS改变对导电沟道的影响 工作原理 (2) vDS对iD的控制作用 (a) vDS=0 (b) vDS|VP| (b) vDS=|VP| (d) vDS|VP| (c) 继续增加vDS，当耗尽层在A点相遇时，称为预夹断。 (d) 沟道在A点预夹断后，随着vDS上升，夹断长度会略有增加。但由于夹断处场强也增大，仍能将电子拉过夹断区。在从源极到夹断处的沟道上，沟道内电场基本上不随vDS改变而变化。所以，iD饱和。 特性曲线 (1) 输出特性(vGS一定时，vDS对iD的影响) 图1-28 N沟道JFET的输出特性 特性曲线 (2) 转移特性(vDS 一定时， vGS对iD的影响) 图1-29 N沟道JFET的转移特性 思考题 1. 一个JFET的转移特性曲线如图所示，试问(1)它是N沟道还是P沟道的FET?(2) 它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少？ iD / mA -4 3 vGS / V 0 图1-30 N沟道MOSFET N沟道MOSFET的结构 MOSFET 从导电沟道的类型上分为： 1) n沟道管，由电子导电。 2) p沟道管，由空穴导电。 从开启电压的极性上又可以分为： 1) 增强型管。栅压为零时不能导电。 2) 耗尽型管。栅压为零时管子能导电。 以