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2 结型场效应管;概 述;3.1 MOS场效应管;N; MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故称单极型器件。; N沟道EMOS管外部工作条件; 由于MOS管栅极电流为零，故不讨论输入特性曲线。 ; NEMOS管输出特性曲线; 饱和区; 截止区; NEMOS管转移特性曲线; P沟道EMOS管;3.1.2 耗尽型MOS场效应管; NDMOS管伏安特性;3.1.3 四种MOS场效应管比较;3.2 结型场效应管; N沟道JFET管外部工作条件; 利用半导体内的电场效应，通过栅源电压VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流ID。; NJFET输出特性; 饱和区(放大区); 截止区; JFET转移特性曲线; 场效应管与三极管性能比较
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