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数字集成电路 数字集成电路 教材 《数字集成电路》 李冰 参考书 《CMOS数字集成电路》 Sung-Mo Kangol，电子工业出版社 《数字电子技术基础》 阎石，高等教育出版社 主要内容简介 数字集成电路种类 BJT（双极工艺） PNP、NPN MOS工艺 CMOS Bi-MOS工艺 BJT CMOS工艺中的bjt管是寄生的，没有专门的工艺层。P+作发射极，N-well做基极，P-sub做集电极。寄生bit管很少用作放大管，一般都改接成二极管用。 若在CMOS工艺中一定要用到bjt管，可以用deep-well来实现。 BJT 常用规格5v5/10v10/20v20 通常做成1：8或者1：24效果最好 数字电路的实现 双极型： TTL（晶体管-晶体管逻辑） ECL（发射级耦合逻辑） I2L MOS型： NMOS CMOS END 与门 Y=AB=AB 或门 Y=A+B=A+B 异或门 3、OC门及TSL门 问题的提出： 为解决一般TTL与非门不能线与而设计的。 ①A、B不全为1时，uB1=1V，T2、T3截止，Y=1。 接入外接电阻R后： ②A、B全为1时，uB1=2.1V，T2、T3饱和导通，Y=0。 外接电阻R的取值范围为： OC门 TSL门 ①E＝0时，二极管D导通，T1基极和T2基极均被钳制在低电平，因而T2～T5均截止，输出端开路，电路处于高阻状态。 结论：电路的输出有高阻态、高电平和低电平3种状态。 ②E＝1时，二极管D截止，TSL门的输出状态完全取决于输入信号A的状态，电路输出与输入的逻辑关系和一般反相器相同，即：Y=A，A＝0时Y＝1，为高电平；A＝1时Y＝0，为低电平。 TSL门的应用： ①作多路开关：E=0时，门G1使能，G2禁止，Y=A；E=1时，门G2使能，G1禁止，Y=B。 ②信号双向传输：E=0时信号向右传送，B=A；E=1时信号向左传送，A=B 。 ③构成数据总线：让各门的控制端轮流处于低电平，即任何时刻只让一个TSL门处于工作状态，而其余TSL门均处于高阻状态，这样总线就会轮流接受各TSL门的输出。 4、TTL系列集成电路及主要参数 TTL系列集成电路 ①74：标准系列，前面介绍的TTL门电路都属于74系列，其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝10ns，平均功耗P＝10mW。 ②74H：高速系列，是在74系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝6ns，平均功耗P＝22mW。 ③74S：肖特基系列，是在74H系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝3ns，平均功耗P＝19mW。 ④74LS：低功耗肖特基系列，是在74S系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝9ns，平均功耗P＝2mW。74LS系列产品具有最佳的综合性能，是TTL集成电路的主流，是应用最广的系列。 * 1.6 门电路 1.6.1 半导体器件的开关特性 1.6.2 分立元件门电路 1.6.3 TTL集成门电路 1.6.4 CMOS集成门电路 　　获得高、低电平的基本方法：利用半导体开关元件的导通、截止（即开、关）两种工作状态。 　　逻辑0和1： 电子电路中用高、低电平来表示。 1.6.1 半导体器件的开关特性 1、二极管的开关特性 　　逻辑门电路：用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。 　　基本和常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。 二极管符号： 正极 负极 ＋　uD 　－ uo uo ui＝0V时，二极管截止，如同开关断开，uo＝0V。 ui＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，uo＝4.3V。 二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。 Ui0.5V时，二极管截止，iD=0。 Ui0.5V时，二极管导通。 2、三极管的开关特性 ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － 截止状态 饱和状态 iB≥IBS ui=UIL0.5V uo=+VCC ui=UIH uo=0.3V ＋ － Rb Rc +VCC b c e ＋ － ＋ ＋ － － 0.7V 0.3V 饱和区 截止区 放 大 区 ②ui=0.3V时，因为uBE0.5V，iB=0，三极管工作在截止状态，ic=0。因为ic=0，所以输出电压： ①ui=1V时，三极管导通，基极电流： 因为0iBIBS，三极管工作在放大状态。iC=βiB=50×0.03=1.5mA，输出电压： 三极管临界饱和时的基极电流： uo=uCE=UCC-iCRc=5-1.5×1=3.5V uo=VCC=5V ③ui＝3V时，三极管导通，基极电流： 而 因为iBIBS，三极管工作在饱和状态。输出电压： uo＝UC