掺铝氧化锌透明导电膜的研究进展精选.pdfVIP

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掺铝氧化锌透明导电膜的研究进展精选

· 126 · 材料导报:综述篇 2010年 10月(上)第24卷第1O期 掺铝氧化锌透明导电膜的研究进展 刘超英 ,左 岩 ,许 杰 (中国建筑材料科学研究总院玻璃科学研究所 ,北京 100024) 摘要 掺铝氧化锌(AzO)透明导电薄膜作为一种性能优异的多功能材料引起 了研究人员的普遍关注,被认为 是当前极具发展潜力的传统铟锡氧化物(IT0)薄膜的替代者。综述 了AZO薄膜的不同制备工艺,并叙述了衬底温 度、Al掺杂量、氧分压、退火条件、同质缓冲层5个因素对薄膜的结构以及光电性能的影响。针对 AZO透明导电薄 膜的研究现状,提出了今后的研究方向:理论与经验相结合,优化工艺设备,在提高薄膜透光率的同时进一步降低其 表面电阻和制造成本,并不断开拓AZO薄膜新的应用领域。 关键词 透明导电膜 薄膜结构 光电特性 禁带宽度 玻璃基片 ResearchProgressofTransparentConductiveAlum inum-dopedZincOxideFilms LIU Chaoying,ZUOran,XU Jie (ResearchInstituteofGlassScience,ChinaBuildingMaterialsAcademy,Beijing100024) Abstract Asahighperformancemulti—functionalmaterial,aluminum-dopedzincoxide (AZO)transparent conductivefilm hascausedresearchers’widespreadconcern,andisconsideredthereplacerofcurrentgreatpotential traditionalindium tinoxide (IT0)films.DifferentpreparationprocessesofAZO thinfilmsarereviewed.Theeffects ofsubstratetemperature,A1一doped,oxygenpartialpressure,annealingconditionsandhomogeneousbufferlayeron thestructure,opticalandelectricalpropertiesofthefilmsaredescribed.Thefutureresearchdirectionsaccordingto thecurrentstudyareproposed:theoriesshouldbecombinedwithexperience,andoptimizeprocessequipment,mean— while,enhancethetransmittanceofthefilmsandfurtherreducethesurfaceresistanceandmanufacturecostssimulta— neouslyandconstantlyopenupnew AZ0 thinfilmsapplications. Keywords transparentconductiveoxidefilms,film structure,photoelectricalproperties,bandgap,glasssub— Strates 子体的还原作用,使功效降低,这种现象在低温、低等离子体 0 引言 密度下也会发生。这些缺点在很大程度上 限制 了 ITO和 自从Badeker将溅射的镉进行热氧化制备出透明导电 FTO薄膜的研究和应用。 氧化镉薄膜以来,人们对透明导电氧化物 (TC0)薄膜的兴 ZnO:Al(AZ0)作为一种典型的n型半导体薄膜,其禁

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