多晶Fe3O4薄膜的制备和性能研究.pdfVIP

多晶Fe3O4 薄膜的制备和性能 1 2 2 2 王 健 王雅欣 张 晓 刘 晖 （1 天津理工大学材料学院，天津 300191 ； 2 南开大学信息技术科学学院，天津 300071 ） 摘 要：Fe3O4 材料以其100％的自旋极化率、高居里温度等优异的性能，成为磁随机存储器、磁传感器以及磁头的 首选材料。本试验通过磁控溅射法在室温条件下制备了多晶Fe3O4 薄膜，并从薄膜的电性和磁性两方面着手研究氧 含量的不同对多晶Fe3O4 薄膜电子输运性能的影响。 1 引 言 半金属材料以其 100％的自旋极化率引起了人们广泛的研究兴趣，在费米能级处，半金属材料 的一种自旋方向表现出金属性，而另一种自旋方向则表现出绝远体性，这种自旋特点，使其具有高 [1,2] 的磁电阻数值，因此成为磁记录材料、磁头以及磁随机存储器的首选材料 。然而，将半金属材料 应用于以上器件，还需材料具有较高的居里温度（Tc ），因此，Fe O 与其它半金属材料相比,如CrO 3 4 2 (Tc=395K) 和 La0.7 Sr0.3 MnO3 (Tc=360K)[3,4,5] ，以其高居里温度(Tc=858K)有望成为新一代的磁记录材 料。 研究过程中我们注意到在制备 Fe O 的过程中还会产生其他铁的氧化物，根据氧化程度的不同 3 4 可以分为FeO ，Fe O 和Fe O 等。氧化程度最低的是FeO ，面心立方岩盐结构，具有反铁磁性，且 3 4 2 3 FeO 还有一种带有阳离子缺陷的非化学计量比的结构Fe1-XO (0.05X0.15) [6] 。氧化程度最高的是 Fe O ，其中包括a- Fe O 和 ?-Fe O 两种结构，且二者都是绝缘体，不同的是a- Fe O 是反铁磁性 2 3 2 3 2 3 2 3 而?-Fe O 具有铁磁性。Fe O 的氧化程度介于FeO 和Fe O 之间，属于亚稳态，室温条件下对制备 2 3 3 4 2 3 条件的要求非常苛刻，极易产生氧化不足或过氧化的现象故很难制备。本文中我们系统研究了室温 条件下制备的多晶Fe O 薄膜的电性和磁性，以及氧含量的增加对薄膜电子输运性能的影响。 3 4 2 试 验 本实验在室温条件下分别用直流磁控溅射和射频磁控溅射制备了多晶 Fe O 薄膜，基片为玻璃 3 4 -5 和聚酰亚胺。以 99.999 ％的Fe 为靶材并通以Ar 气和O2 气的混合气，气压为5.0×10 Pa ，工作气压 为 1.0Pa。通过控制O 的流量以及Ar 气和O 气的比例我们在室温条件下得到了多晶Fe O 薄膜，