多晶FeS2薄膜电学性能的研究与进展研究.pdfVIP

井源源等t多晶FeS。薄膜电学性能的研究与进展 多晶FeSz薄膜电学性能的研究与进展+ 井源源，刘艳辉，孟亮 (浙江大学金属材料研究所，浙江杭州310027) 摘要： FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材前研究的重点之～。太部分薄膜制备方法都可以用于 料，改善光电转换效率是主要研究方向，而进一步阐明 制备FeSz薄膜，如先驱体热硫化、热蒸镀、金属有机化 电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效学气相沉积(MOCVD)、反应溅射及喷雾热解等。许 率有效逮径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学多研究者尝试采用这些方法制备FeS。薄膜，并以此研 性能的研宽进展，分析了硫化制备工艺及掺杂效应对 究其电学性能变化规律。 Fes2薄膜电学性能的影响，介绍了晶界势垒模型、跳 相对于其它制备方法，首先制备先驱体再通过硫 跃传导模型及晶体点缺陷理论等FeS2薄膜电传导相化反应生成FeSe薄膜的制备方法具有工艺参数控制 关机制，讨论了Fe岛薄膜存在的问题及发展方向。 方便、薄膜成分接近理想化学计量成分以及高温热硫 关键词：FeS。薄膜；电学性能；工艺参数；晶体缺陷 化容易改善薄膜组织结构等优点，因而已被广泛采 中圈分类号：TN304 文献标识码：A 用”]。由于硫化反应过程中的硫化温度、硫化时间及 硫化压力等参数变化能够引起相结构、点缺陷类型、点 文章编号：i001—973l(2006)增刊一0247—04 缺陷浓度以及薄膜完整性的变化，以致引起晶体结构 1 引 言 导电特性、薄膜有效导电面积及电子散射效应的变化， 金属硫化物在太阳能电池、热电材料以及存储装 因而硫化参数的变化会对薄膜电学性能构成不同程度 置等领域显示出了广阔的应用前景，因而得到了广泛 的影响。 关注。通过切实可行的途径使金属硫化物具备优良的 相对于其它硫化参数．硫化温度对FeSz薄膜电学 光学、电学或者磁学性能是其能够得到有效应用的先 性能的影响最明显。文献[4～12]的研究表明，随硫化 温度的上升，FeS。薄膜电阻率呈上升趋势。例如，文 决条件。在目前研究涉及到的众多金属(Fe、Ti、Co) 硫化物中，采用人工合成方法削备的FeSz薄膜能够表 现出引人注目的光电性能，已成为极具潜力的新型太 膜的研究中指出，473K硫化后的试样电阻率为0．02n 阳能电池材料，值得进一步研究发展。 FeS2薄膜具有高的光吸收系数、合适的禁带宽度近，随硫化温度升高到873K，薄膜的电阻率则迅速上 (E。=0．95ev)以及良好的环境相容性。采用FeS。制 得的电化学电池量子效率达到了90％，在100mW／化温度升高而增大的主要原因有如下几方面：(1)是硫 化温度上升使薄膜硫化反应更加彻底，导致导体性质 cm2的光照下能够产生高达42mA／cm2的电流密 度“3。然而，虽然理论计算预测FeS2的光电转换效率的Fe能够更充分地转变为半导体性质的Fe岛；(2)是 硫化温度升高使薄膜中的载流子浓度及其迁移率下 可以达到15％～20％，但目前实验室研究的Fest太 降，降低了薄膜电荷传导能力；(3)是较高的硫化温度 阳能电池因光电压较低(Voc=200mV)而光电转换效 率仅能达到2．8％，与理论值相差很大口]。由于在 能够形成较高的热应力，并造成薄膜晶粒的聚集长大， Fes2电学性能方面所涉及到的电阻率、导电类型、载容易导致薄膜中出现微裂纹及孔隙，增大了膜体的不 流子浓度及载流子迁移率等参数对于光学、磁学及光 完整性或降低了薄膜的有效导电通道面积