磁控溅射法合成纳米II-.PDFVIP

第56卷 第 12期 2007年12月 物 理 学 报 Vol。56，No．12，December，2．007 1000．．3290／2007／56(12)／7188．．07 ACTA PHYSICA SINICA ⑥2007 Chin．Phys．Soe． 磁控溅射法合成纳米II-FeSi2／a-Si多层结构* 胡 冰 李晓娜 董 闯 姜 辛 (大连理工大学材料科学与工程学院，三束材料改性国家重点实验室，大连 116024) (2006年12月2日收到；2007年5月15日收到修改稿) FeSi2作为一种环境友好的半导体材料，颗粒化及非晶化正在成为提高其应用性能和改善薄膜质量、膜基界 面失配度的有效途径．利用射频磁控溅射法在单晶Si基体上沉积Fe／Si多层膜，合成纳米~-FeSi2／Si多层结构．通过 透射电子显微镜、高分辨电子显微术等分析手段，研究了多层结构和制备工艺之间的相互关系．研究结果表明，采 用磁控溅射Fe／Si多层膜的方法，不需要退火就可以直接沉积得到13-FeSi2相小颗粒． Fe ：相颗粒尺寸在20 nm以 下，小的颗粒尺寸导致发光蓝移，带隙宽度变大，E：值约为0．94 eV．经过850 oC的真空退火处理后， FeSi2相没有发 生改变，颗粒尺寸变大、蓝移效果消失， FeSi：相小颗粒的尺寸仍小于100 nm，结构的稳定性较好． 关键词：p．FeSi ，磁控溅射，透射电子显微镜，半导体薄膜 PACC：6855，8115C，0780，7280J 的发光性能，这种方法引起了人们的广泛关注．本实 1．引 言 验就是利用磁控溅射法在单晶si基体上沉积Fe／Si 多层膜，合成si／纳米p．FeSi2多层结构，利用高分辨 t3-FeSi2作为一种环境友好的半导体材料，具有 电子显微术研究多层结构随后处理温度的演化，还 高的光学吸收系数和丰富的元素资源储备． ．FeSi 表征了带隙宽度． 的理论光电转换效率为l6％～23％u ，因而其在 光电二极管、图像传感器、太阳电池H 方面具有广 2．实验方法 泛的应用．8．FeSi 太阳电池结构主要是由单晶si基 Fe／Si多层膜的制备是在大连理工大学三束材 体和 8．FeSi ／Si的异质结构成 ，而目前关于 料改性国家重点实验室的JGP450型超高真空多功 8．FeSi 太阳电池的研究中，最高的实际转换效率仅 能磁控溅射系统中完成的．将(100取向的单晶si 为3．5％ J，与实际应用还有较大的差距．这种结 基片先经过丙酮、酒精和去离子水的超声清洗，然后 构的太阳电池转换效率过低的主要原因是易于形成 放入5％的HF酸中浸泡1—2min，用纯净N 气吹于 层错、孪晶等结构缺陷，且p．FeSi2与si存在较大界 后放入真空室．溅射时本底真空度优于5×10～Pa， 面失配，即使在Si100)基底上平行外延生长p—FeSi 工作气压为0．5 Pa，溅射靶采用高纯Fe(99．99％)和 [001]的异构材料，其失配度仍然在1．4％一2．0％的 高纯本征Si(99．999％)，沉积前初步测定 Fe靶和Si 范围n ”]．所以，如何提高p．FeSi2薄膜晶体质量和 靶的溅