辅助场FDTD方法分析电磁屏蔽半电波暗室吸波材料的特性研究.pdf

一辅助场FDTD方法分析 电磁屏蔽半电波绝鑫吸渡材料的特性等 刘芡毛钧旅 国防科技大学 电于科学与工租掌院 电子科李与技术系 .要:本文论述了MARO场FlYr.方法分析暗室际浪材夙的砚稗脸华的方法，阅述 了粉助场丽块的李林泳.以胧在也徽搽成甲钱妞，牌李如料的反射 特性. I引言 电滋屏旅毕电被暗室是进行电磁兼容认证检侧的盆要场地之一 为此国内很多单 位纷纷绪建和正在建设电徽屏蔽半电挂暗塞。 电陇屏蔽半电波暗室简称EMC暗室，它与徽波暗室不同·EMC暗室闷姗幼吸 故材料 ‘只奋绝砚不抽设吸波材料，·主互用予栩招开月场洲U:娜充波钧翻封32朋邃达 注和地面友扮波:刃 吸续材洲 用予徽橄自由空阅祷.坏今.从 使角甘的来粉，Ewd.暗室用千电滋狡容幼任，包括电扭妇姗千抚翻娜知朋的峨隆诊 度润f，主哭性能指标用归一化场地衰抽MsA %A'j佳染扮七粗傲创连 要用于徽波天线系统的指标侧f,暗室性能用静区尺寸、反射电平、固有盆达截面、 交叉极化度参教表示。 虽然两种暗室的用途、性能、指标娜不同，祖最它们场皿拼的*MM瀚应皿面 上的吸波材料.材料的吸波性能越好 ‘质·射率翔粉，对绪必毕场妞侧自娇产生的甲确 定度就越小，因此吸波材料的反射性能如何是暗室设计时必须考虑的，要因素。 吸波材料性能的侧试，如有条件可在a'Sw 室中用网络分析仪进行，或者可在暗 室或开门场中用功率电平反射法和空间驻波法侧,i'm.但是，如果能方便地计算出吸波 材料的性能，不仅省去了侧t的摘琐，还可对吸波材料的媒质参数、几何形状进行优 化设计，以获得级佳的反射性能. 为了达到很好的吸波性能，吸波材料一般做成上尖下粗的锥形或尖男形，井整齐 有序地排列在暗室幼面上，如图I.这种形状的吸收材料能与自由空间更好地匹配.为 了傲到屏蔽，吸波材料的底面铺设金口板。 翻师 a) 图，吸波材料阵列一a)一.阵列，七)二.阵列 圈2四面住形吸波材料阵列单元 由于吸波材料几何体在暗室绮面上是呈周期性排列的，形成一个阵列，并且在一 面幼上，几何体的个效一般是成百上千的，因此当入射波近似为平面波时，可以将吸 波材料周期阵列当作无限阵列来处理，则只要分析其中住a二个单元的反射特性，就 可裕到狱个阵列的反射特性。 暗室吸波材料几何体有各种形态，且它一般是由色散媒质构成，其媒质参致比较 复杂，有时还设计成分层媒质的，各层参数不同.对于这一复杂结构来说，FDTD方 澎;因其计算原理简单、便于仿真任意结构和媒质参数、便于宽颇带计算，是一种很好 的方法。 2知助场FDTD法分析周期性结梅的基本原理 选定其中一个吸波材料单元为计算区域，见图2.当入射波偏离法向时，四壁边 界上的场虽然招度相同，但存在相位差.因此其四璧采用周期性边界条件(PBC}断; 翻耳 垂宜子阵面的方向上采用吸收边界条椒ABC)截断，则计算区域为一个有限空间.在某 个频率上，PBC可用颇域相移表示，即Ex(十d.,Y.z〕二石认y，水一M :脉冲橄励时， E(x+dy,z,t)=E(x,y,z,t+r,)，PBC筑只旅用时移在示，时间廷迟值可以通过存佑一 段时间步中的场位得到(41#可能泪耗很大的存怕匆，侣汤时阅超粉位则是不可能预知 的，这是时城PBC-的襄叔啪 而‘·辅助场分任脚鲜!初翻分盘，井消去魏差，使 其在盛个阵面上福相均是周期性的，因此不需要娜翔佳. 用下列方程定义某个频率上的辅助场AU标 “~城表示是倾城分f): P,(x,Y,z,m)二E,(x,Y,z,w)eA-iepyy'37 n=旅 (2.1d) Q认Y.z.m)二反(x.Y.z,m)eJ,e,`ejfl,r I-礼y召 仪t句 周期阵的主.方向为(氏