双温区生长CdSe单晶及其红外表征研究.pdfVIP

双温区生长CdSe单晶及其红外表征研究.pdf

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纪念马祖光院士全国光电子与光电信息技术学术研讨会论文集·哈尔滨2006 双温区生长CdSe单晶及其红外表征 叶林森,赵北君.朱世富,何知宇,任锐,王瑞林,钟雨航,温才,李佳伟 (四川大学材料科学系,四川成都610064) 箍要;硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料,实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长出 测试结果显示:硒化镉单晶体完整性好,红外透过率大于62%,表明双温区具有较好的温度梯度,生长过程中能有效地控 制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比,用这种晶体制作的探测器,电荷收集效率较高,具有较好的能量分辨率. 关键词。硒化镉;晶体生长;气相垂直提拉;电阻率;红外表征 of andtheIR GrowthCdSe inaTwo--zoneFurnace Crystals Single Characterization YE Lin·sen,ZHAO Shi-fu,HEZhi-yu,PENRui, Bei-jun,ZHU WANG Cai,LiGia-wei Rui-lin,ZHONG Yu—hang,WEN ofMaterialsScienco,Sichuan (Department University,Chengdu,610064,China) Abstract:CASeWaSa semiconductormaterial nuclearradialiondetectors.In crystal verypromising aSroom-temperature the innovated methodinatwo-zone of015x40mmand of experiment,byperpendicularvapor pull furnace,Size receptivity phase 107-10SD.cmCdSe WaStestedXRD were CdSc and111.The largesinglecrystalsgrown.Thesinglecrystal(110)clmvageplane by resultsshowedthat ofthe is transmissionis is two-zonefurnacehasbetter 62%whatmore,the perfectioncrystalgood,IR larger control anddefectionconcentration,andchemicalratioofthe inthe temperaturegradient,嘲effectivelyimpurity crystal growth detectorshave electron andbetter resolutionthe process.Preparationhigher storage alergy by

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