含Se预制层制备CuIn1xGaxSe2薄膜材料研讨.pdfVIP

化合物半导体和空间用太阳电池及材料 ．273． 刘玮 孙云-李凤岩 何青 李长健 田建国 ‘ 南开大学光电子研究所天津300071 【摘要】 于采用后硒化方法制备CIGS薄膜时，薄膜生长所需的Se元素完全由外部 Se源依靠扩散机制提供，所以在短时硒化过程中，薄膜内部经常出现Se 元素不足的状况，并由此导致薄膜内部出现空洞与CuSe以及非单一CIGS 四元相的情况。为了解决以上问题，在硒化时采用含se预制层制备CIGS 薄膜，从而优化了反应途径，改善了薄膜结晶质量，并形成单一相的CIGS 化合物。 【关键词】 薄膜化合物材料．CuInl．。Ga。Se2含se预制层 The of ThinFilms theSelenizationof the Study CuInl．xGaxSezPreparedby ：。the Precursors Selenium·containing LIU SUNYunLI HE LI TIAN Wei FengyanQingChangjian Jianguo InstituteofPhotoelectric Research，Nankai University，94#weijinRoad，+Tianjincity，P．R．China O引t言 ‘。 I 定，是目前的研究热点之二。制备CIGS薄膜电池的方法有多种，其中常用的制备方法为： 制备大面积电池等优点，是一种非常有前景的方法【2】。本研究中采用了后一种制备方法。由 于在后硒化过程中，所需的Se元素完全由外部Se蒸汽扩散进入薄膜中提供，在较短时间的 硒化处理中出现薄膜内部s毛元素不足的状况，从而导致Ⅲ族元素流失严重及薄膜质量下降。 为了改善这种状况，在预制层中加入se元素制备出含se预制层。为了进一步研究预制层中 添加Se元素后对薄膜结晶及化合途径的影响，在以下实验中制备了两种结构的预制层进行 ’ 对比研究。 X’Port 其中CIGS薄膜的结构特性由Holland X-ray Panalgtical 供元素成分数据。并利用x—ray 薄膜表面即截面形貌由S．3500N’扫描电镜提供。 ．274· 中国太阳能光伏进展 1实验过程 首制备两种预制层：第一种采CuGa靶与In靶顺序溅射在玻璃基片上，制备出叠层的 闭真空系统中完成。为了对比研究金属预制层与含se预制层硒化中化合反应及结晶相的不 同，处理两种预制层的硒化程序完全相同。15分钟内衬底温度由室温直接升温到最终硒化温 子比相同，分别为：0．85与0．28，硒化后薄膜厚度约为2．0 1．tm。 2结果与讨论 2．1 实验结果 于图l、图2中。由图l可看到：硒化后，不合se样品体内接近Mo电极处