反应热压烧结AlNBN复合陶瓷的制备与性能研讨.pdfVIP

—堕L——————————————————～苎!!—二一丝 塑 塾 !婴!!塑型!!!!查 反应热压烧结A1N—BN复合陶瓷的制备与性能研究’ 贾铁昆，王为民，傅正义，王皓，赵海洋 (武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，期北武汉430070) 摘要： 以BN和Al为原料，采用原值热压烧结工 2实验 艺、在无烧结劝荆的务件下制备了不同Al合量酌 A1N—BN复合陶瓷材料，研究了原料配比对微观结构 实验中原位合成反应方程式： 噩性能的影响。结果表明：随着原料中AI／BN(摩尔 3A1+2BN一2AlN+Al岛； 比)比值增大，复合陶瓷中AlN的舍量增加，复合陶瓷 的密度、硬度、抗弯强度和热导率也随之增大，同时介 h-BN和Al粉末为市售粉末，二者的主要成分如 电常数增大。在1800℃、氮气氛下、热压2h可以制备 表1所示。以无水乙醇为介质，在塑料罐中将不同摩 出燕导率为63，5W／m·K、介电常数为8．76的AIN— 尔配比的AJ和BN粉末湿法混磨6h后．浆料烘干后 BN复合陶瓷。 过筛，装模，放人真空热压炉中，抽真空，在950℃保温 关键词：AIN—BN；热导辜；硬度；介电性能 中图分类号：TQl74 文献标识码：A 温保压2h，烧结后样品经过切割、抛光，加工制成8mm 文章编号：1001—9731(2006)增刊一0188—04 测定热导率和介电常数。 1引言 表l原料的成分分析 1 氮化铝(AIN)陶瓷具有优异的综合性能：高热导TableElement ofrawmaterials analysis 率、高绝缘性、低介电常数和介电损耗，是大规模集成 原料{主要戚别Si Ca lee Ca}Ni 电路、半导体模块和大功率器件的理想散热材料和封 Al 99．260．0042 0．00060．0862 )．oo003硝o．00005 装材料，同时AIN能够在高频条件下抵抗高温卤元素 BN 99 0．04 — 0．01 0．04 0．0I 离子的侵蚀，可用作微波窗口材料n“]。但是氮化铝 采用阿基米德排水法测量A1N—BN复合陶瓷烧结 固有硬度高、韧性低、脆性大的缺点大大限制了其可加 Laser 试样的密度，使用T(2-7000FlashThennalCon 工性能，从而影响了AlN陶瓷在电子领域内的应用。 stant Analyzer激光热导仪测定烧结试样的导热系数， 六方氮化硼(h—BN)陶瓷具有优异的介电性能、良好的 通过计算得出试样的热导率Elz3，使用D／MAX—R型x 机械加工性能、高绝缘性及较好的导热性能。因此，h-