小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟.pdfVIP

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2018-04-07 发布于北京
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小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟.pdf

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纳米器件与技术 f Nanoelectronic Device＆Technology 小尺寸超高频双极晶体管工艺及特性模拟赵守磊，李惠军，吴胜龙，刘岩 (山东大学孟完微电子研发中心，济南 250100) 摘要：基于通信系统中射频电路设计的特殊要求，对小尺寸(基区宽度低于100nm)、超高频 (特征频率高于15GHz)双极晶体管工艺制程和器件的物理特性进行了模拟，为工艺线流片进行可行性研究。该器件采用BiCMOS制程结构实现，在对小尺寸、超高频双极性器件物理模型进行详尽分析的基础上，实现了该器件工艺级(Sentaurus Device)的仿真，提出TCAD工艺及器件的一体化设计方案。模拟结果表明，在高频指标参数 17 GHz下，所得厣值接近于80，满足设计要求。关键词：小尺寸；双极器件；频率特性；工艺仿真；特性模拟 ProcessandCharacteristicSimulationoftheSmall．Scale Transistorwith Bipolar Ultra-HighFrequency Zhao Yan Shoulei，LiHuijun，Wu Shendong，Liu 0MicroelectronicsResearchand (MENGYA 250100，吼西珥) DevelopmentCenter，ShandongUnivers如，J#um ， onthe of circuitsincommunication Abstract：Based design special requirementshiIghfrequency of of simulationsthe flowand characteristics basewidth systems，the process physical small—scale(the isunder100 characteristicis 15 nm)，ultra-high upon frequency(the frequency GHz)bipolar transistorsweresimulated．Itcarriedessential for of feasibilitystudyon-line flowthe process project． Thedevicewas BiCMOSfabricated