晶体中的信号光与噪声光的竞争3.pdfVIP

第 18 卷第 3 期 红 外 与 毫 米 波 学 报 V o l. 18, N o. 3 1999 年 6 月 J. Infrared M illim. W aves June, 1999 2+ 2+ 3+ 3+ 3 , ( = , , , ) L iNbO Fe M M M g Zn In Sc 晶体中的信号光与噪声光的竞争 张国权　张光寅　刘思敏　许京军　张心正　孙　骞　温海东 ( ) 　 南开大学物理科学学院光子学中心, 天津, 300071 摘要　分析了掺杂铌酸锂晶体的扇形噪声光的形成机制, 讨论了信号光与扇形噪声光之间的光 放大竞争问题. 结果显示: 由于信号光与扇形噪声之间光放大竞争, 对于信号光的放大而言, 存 在一个最佳的光生伏特场, 因而存在一个最佳入射泵浦光光强, 使得信号光具有最大的放大倍 数, 同时噪声很弱. 关键词　光放大, 铌酸锂, 光折变. 引言 铌酸锂作为集成光学、非线性光学及光子器件的基础材料, 具有重要的实用价值. 光折 变三维体全息存储是它的重要应用之一, 但目前仍有许多问题尚未解决, 噪声问题便是亟待 解决的问题之一. 铌酸锂晶体的光折变性能可以通过调节掺入的杂质离子的种类和浓度得 到改变和优化. 目前已经在双掺铌酸锂晶体( 3 ∶ , ( = 2+ , 2+ , 3+ , 3+ ) ) L iN bO Fe M M M g Zn In Sc [ 1 ] 中发现了一些对三维光折变体全息存储应用极为有利的效应, 如光扇光强阈值效应 . 利用 该效应已经在双掺铌酸锂晶体中实现了高衍射效率、高清晰度、快响应全息图像存储. 本文 将讨论双掺铌酸锂晶体中信号光与噪声光之间的光放大竞争问题, 这对于抑制光折变器件 中的噪声将是重要的. 1　掺杂铌酸锂晶体的噪声形成机制 由于强光生伏特电场的存在, 掺杂铌酸锂晶体具有极强的对称扇形噪声 (fann ing no ise) , 这种噪声在光折变存储应用中极为有害, 因而必须首先去除. 我们认为掺杂铌酸锂晶体中的光放大现象实际上是通过多波耦合实现的, 对称扇形噪 [ 2, 3 ] 声是基于多对三波耦合机制 . 当异常偏振的泵浦光I p 垂直于晶体的 C 轴入射, 并沿y 方 向传播时, 根据多对三波耦合模型, 铌酸锂晶体的对称扇形噪声可用下列方程描述: 2L i i = (2I co s′- I ) ( 1 + co s ) + k L , ( 1) x I 0 i i p i i I