Bragg光栅在DFB激光器中的应用以及其占空比的控制研究.pdf

,星全国固体薄膜 学术会议论文 259 Bragg光栅在DFB激光器中的应用 以及其占空比的控制 张静媛 (国家光电子工艺中心 中国科学院半导体研究所 北京100083) 摘要: 当前通信技术快速发展，传输向高速、大容量、长距离开发，因此对光电子器件提出越 来越高的要求.本文介绍Bragg光栅在DFB激光器中的应用，光栅占空比对器件的影R7及控制 单模成品率)80%, 研制出1.3N。WW-DFB,1.5umMQW-DFB激光器，边模抑制比35dB, 一、引言 在光电子器件中引入Bragg光栅，由于光栅对光的反馈或反射作用，能使器件在单纵模下 工作，发射波长为: a.二2ngA加一 (1) A:为光栅周期，二为正整数,ng为波导的有效折射率，因此将它应用于激光器中、取代端面 镜面反射而成的i练腔，即DFB和DBR激光器(D使器件在Bragg波长工作，边模抑制比)30dB, 并能实现动态单模，应用于大容器，长距离光纤通信系统，又由于DFB和MR激光器谐振腔为 Bragg反射器，所以便于光子集成。开发多功能的光子集成器件，在光通信，光交换和光学信息 处理中得到广泛的应用。 二、Bragg光栅参数对器件祸合系数的影响 文砂，报导了光姗形状，撇和。=1.2,3一不同级Bragg光栅与哪激光器祸合系 数K的关系.其中K与.和/，入的关系如下式: Sin (nmW/A) K~ — --— -...(2) V/A为光栅的占空比，若W/A=0.5，则二二1时K最大 二=2,4.6时，K为。，以上为折 射率光栅分析结果。为了改进激光器动态单模特性，又发展了增益祸合和复合辐合光栅，复合 祸合光栅激光器阐值增益和W/人的关系如图1所示3()为达到最小阐值电流，光栅的占空比控 制在1/3-1/4之间，由此可见光栅的深度占空比、形状等对器件的特性有重要的影响。 三、Bragg光栅的研制和占空比的控制 在光电器件中应用的Bragg光栅周期为100二一400nm,一般采用电子束曝光和全息技术来 实现，电子束设备较昂贵，我们是采用全息光栅技术，光源 He-Cd檄光器，波长为 325、 260 立昼鱼周因俊薄膜学术会议论文 光刻胶是AZI370SF.甩胶速度为8K转/分，胶膜厚度-50nm庄InGaASP或TO上刻制光栅 如图2所示，A=240。，光栅的刻蚀采用RIE和湿法结合的方法，光栅的形状近浦以于矩形。 为了获得不同占空比的Bragg光栅，可以用改变曝光时间或显影时间来获得，本实验在 固动光源能量、胶膜厚度、显影时间的条件下，改变曝光时间，来得到不同占空比的Bragg光 栅，实验结果如图3所示。 四、Bragg光栅在DFB激光器中应用 我们己经把Bragg光栅引用在激光器中，研制出折射率光栅的DFB激光器，在InGaAsP 波导层上分别刻制人为202。和240nm的光棚，获得了I.3VmVW工nGaAsP/InPDFB激光 器和 I.5umNQWInGaAsP八nPDFB激光器，Bragg光栅的占空比近似 0.51深度~600rim, 激光器单模特性如图4,5所示，SV.SR35dB。其单模成品率达到80%e 士 1 切 提 冬 返 叉 架 0.1 02 0乃 0.4 05 0.6 光栅的占空比 图工，复合摆合光姗IB-LD的阐值增益和R/A的关系 图2.在IoGalsP上刻制的光姗A=240`m 45秒 ， 50秒， 65秒 ，