DGS结构在微波放大器中的应用P11931196研究.pdf

2005’全国微波毫米波会议论文集 DGS结构在微波放大器中的应用 曹锐，安士全 (华东电子工程研究所，安徽合肥230031) 摘要：缺陷接地结构(DGS)，即在微带线等传输线地平面上蚀刻的一种周期性结构，其构 造非常简单、性能优越、而且易于设计和实现。本文对目前应用于微波平面电路设计领 域的DGS结构进行了研究，通过电磁场分析软件对各种DGS结构进行分析和优化。最 后利用DGS结构在某些频率点上的谐振特性，充分利用其带阻特性抑制谐波分量，设计 出一种DGS结构，对某一频段的微波高功率放大器的二次谐波进行了有效的抑制，最 终有效地提高了微波功率器件性能。 关键词：微波平面电路缺陷接地结构谐波 1引言 目前在微波平面电路设计中，小型、轻型化设计研究已经成为一门非常重要的课题。 Lim、Jun．Seok 针对这个研究方向，韩国学者Jong．Sik Park等人在光子带隙结构(PBG)[1】的 Ground 基础上提出了缺陷接地结构(DefectedStructure)结构12J，简称DGS结构，即在微 带线等传输线的金属地平面上蚀刻周期性或非周期性的各种栅格形状，以改变传输线的 传输特性。DGS结构模型，可以通过电磁场数值计算与简单的LC等效电路建模交互分析， 相对简单；另占用较小的电路面积，更适于微波毫米波集成电路实际应用。其显著特性 具体表现在[3,41：①具有低通带阻特性；②能够提高介质的等效介质电常数；⑨提高传输 线的等效电容和电感；④慢波特性。 利用电磁场分析方法，本文分析了经典的“哑铃”、“螺旋”形缺陷单元构成的DGS 结构的传输特性，在指定频率产生带阻特性，设计出一种DGS实际结构，对某一频段 的微波高功率放大器的二次谐波进行了有效的抑制，大大提高了微波功率器件性能。 2DGS结构及电路模型分析 常规DGS结构，现阶段多采用两种方式，一种形式是dumbbell．DGS，其蚀刻的栅格 形状类似哑刽5】；另一种形式为spiral．DGS，其蚀刻的形式类似螺旋型【61。 2．1“哑铃”型DGS结构的电路模型分析 图1-a为经典的“哑铃”形DGS结构微带线，DGS结构微带线的传输特性主要有 两个因素决定：缺陷单元几何结构和介质的介电常数等。当介质衬底的厚度和相对介电 常数确定后，决定DGS结构特性的参数就只有缺陷单元的矩形方格面积和缝隙大小。 (a)“哑铃”形DGS结构(b)“哑铃”形DGS结构等效模型(c)一阶Butterworth低通滤波器 图1“哑铃”形DGS结构单元及模型 以单个“哑铃”形DGS缺陷单元为例，其构成的微带线在某些频率上具有截止频 1193 2005’全国微波毫米波会议论文集 率和衰减极点，并司用一个低通滤波器(图1-c)来等效建模。DGS缺陷单兀中矩形方格 的作用等效于一个电感，而缝隙的作用等效于一个电容，如图1-b所示。 此种DGS缺陷单元的电抗可以表示为： XLc：1／co。cl堕一旦1(1) L∞ ∞o／ 式中，∞o为并联LC谐振器的带隙中心频率，其与衰减极点相对应。Butterworth{氐通 滤波器(见图l-b)的串联感抗可以用下面公式表示： X上=coZ091 (2) 式中：∞’表示归一化角频率；Zo表示输入／输出端的标准阻抗；gl是一阶Butterworth 低通滤波器原型参数。对于某个特定频率，低通滤波器的截止频率由下式给出： X￡cl。：‰=托L (3) 从上面的等式，等效电路中的电容C，可以表达如下： c2与‘不1虿㈣ 一旦等效电路的电容值给出，给定的DGS单元的电感可以通过以下等式给出： k砑知@’舻2矿 ∞’ Q。 式中：fo和fc分别为带隙中心频率和一3dB处频率，C是所得到的电容，zo取为50 另通过仿真分析可以得出“哑铃”DGS结