C70薄膜／Si界面电子态研究.pdf

六届全国固体薄膜学术会议论文 C70薄膜/Si界面电子态* 陈开茅 吴克 武兰育 李传义 北京大学物理系100871 周锡煌 顾镇南 北京大学化学系100871 张亚雄 北京太阳能研究所100083 摘 要 通过在真空系统中将C70粉末加热升华和在P型和n型硅si(111)单晶衬底上生长C70薄膜 ti.发现在C70/Si界面存在三个电子陷 态C-V测量发 70禁带中存在 *藻EX燕tiglT0.(M194P),.罄EMit2I0X(.2t6%2患)A,Egit32000(4.C07)tpIkiM4C}f70-/+SMi}y$4MFgAp%HiT-tl$0(4.qi7t1).EN{.. 一、引言 固体C70和C60都是新型分子半导体，它们的结构和传统半导体((Ge,Si,GA和‘InP /传统半导体接触有关的，诸如两种物质相互作用，界面电 子态以及光学和电学性质等问题的研究是有重要理论意义和潜在的技术利益的，我们的研究已经 表咀 固体C60与传统半导体 S〔i,GaAs)之间存在着强烈相互作用并形成强整流异质结民习; C60膜对硅表面有很好的钝化作用闭 ;固体C70/Si也是强整流异质结，在偏压土2V时，其整 流比大于10,倍]’[.本文研究的是固体C70/si(111)界面电子态的性质及C70膜对si表面的钝化 作用。 二、实验和结果 1.样品制备 2 1 在真空度高于10-毛的真空系统中将纯度为0.99的 C70粉末加热升华，在背面已做好欧姆接触的n型和p型 0 1 1 1 食、、 言 Si(111)JTL晶片上生长厚度为200nm的C70膜.为了观察生 9 感 8 一 吕 7 长温度对C70/Si界面的影响，在长C70膜时将Si衬底固 Ti1C701n-Si 曾 6 的 5 定于两个温度汀户，一个是室温仃p，另一是200C,低m T,--Ta 电子衍射侧量证实所制C70膜是面心立方为主的多晶结 的 匕 4 t 7.21ms 3 0 2 构.在C70膜上蒸发上面积为5,03xm-0c1 的Ti