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ECR-PECVD薄膜沉积工艺 . .
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陈俊芳 吴先球 王德秋 .
华南师范大学 物理系 (510631 .
任兆杏
中国科学院 等离子体物理研究所 (230031
摘 要
由偏心静电单探针诊断了ECR-PECVD反应室内的等离子体密度的空间分
布规律。结果表明在轴线Z=50cm处，径向护12cm内等离子体密度分布非常均
匀。分析了等离子体密度径向均匀性对沉积速率的均匀
]1=74性和膜厚均匀性的影响。讨论了沉积制备一定膜厚的Si3N4簿膜的工艺重复
性。研究了各种沉积工艺参数与Si尹;薄膜沉积速率的相互关系。得到了ECR-
PECVD技术在沉积薄膜时的实际应用的工艺参数条件。
PACC:6855;8115H,5270
引言
低温等离子体技术在材料科学、半导体微电子学等领域的研究和加工中起到
重要的作用11,2.1,4]微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR-PECVD)
技术是低温等离子体加工方法中重要技术之一，它是制备薄膜技术之一。在制备
薄膜
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