ECR等离子体源的两维计算机模拟研讨.pdfVIP

厂 ! | ! 1 1 1 ECR等离子体源 的两维计算机模拟研 究 刘 明海 ”，胡希 伟b，，部钦崇 ，，‘俞国扬 .， a)中国科学院等离子体物理研究所，合肥，230031 b)中国科技大学近代物理系，合肥，230062 摘 要 本文采用自治微波功率吸收的两维混合模型，数值模拟了 ECR等离子体源中的各种 物理参t，重点研究了中性气压、微披功率对 等离子体参擞 等〔离子体密度 、等 离子体位势)、 以及基板表面的离子电流密度、禹子能量、方向兔分布的影响.并讨论了ECR等离子体中的某些 非线性现象.我们的数值结果与许多实验测里定性相符 关位词 ECR等离子体 两维浪合模型 致值模拟 近年来，电子回旋共振等离子体源的运用在微电子工业 中占有相当突出的地 位川，由于它是一种无极放电，能够在低气压下产生高密度、高 电离度的等离子 体，所以在等离子体物理研究、表面处理、刻蚀和薄膜制备等应用 中，成为一个十 分引人注目的新领域侧，已成为新一代大规模集成电路的高效等离子体加工装置的 有力竞争者。当前的发展趋势是微细化，低温化、低能离子损伤和大面积均匀阴。 为了实现这些目标 ，实验研究的诊断测量取得了长足的进展，为优化设计反应器结 构以及有效控制等离子体参数提供 了重要依据 :然而理论研究却非常薄弱，且数值 模拟大多为一维模型，而广为引用的两维混合模型也存在某些局限性，主要表现在 中性气体密度的均匀分布以及微波功率吸收的不 自洽性。九十年代中期 中性气休 密度的非均匀分布已经得到解决。在这里，我们沿着 Porteous等人1‘日建立的混 合模型(hyblld 。。del)，并对其核心部分一微波吸收作了重大改进，将原来的非 目治吸收 (吸收不依赖等离子体参数)变为自洽吸收，来模拟ECR等离子体源中的 各种物理参量，重点研究微波模式、中性气压、微波功率对等离子体工艺有重要参 考价值的基板表面的离子电流密度、离子能量、方向角分布的影响。这方面的工作 是国内外许多人早就期盼解决的，但迄今为止尚未见到报道 由于微波自洽吸收问 题的解决，使得先前某些难于解释的实验现象得到了定性的描述，而且有关数值结 果能与许多实验测量定性相符。 1 物 理 模 型 我们对延长型 ECR 等离子体反应器进行了数值模拟，它的源区半径与长度分别为 加。、81叨，下游区的半径与长度分别为8切、15切。源区和下游区的两组线圈产生发 散型磁场。共振区位置在轴问位置9至31厘米，基片位于反应器的底部 整个装置除微 波介质窗口是绝缘外.其余表面都是导体并且接地，工作气体为氢气。 本文采用的物理模型是自洽微波功率吸收的混合模型，即采用流体模型描述电子 行为，粒子模拟跟踪离子行为 生于该模型在文献t小7}中有过详尽的描述 在这里， 我们仅仅叙述它的主要特征 1.1电子流体模型 在模型中，电子当作流体处理，它的行为由经典的流体方程(质量守恒、动量守 恒、能量守恒)描述。假定电子速度为麦克斯韦分布，考虑沿磁力线方向的运动，则稳 态时，连续性方程:，乙，二况。，，(兀，n。，n) l()  _一泪目 能量方程 ，氛1一叹 E十pca一pan， (2) 式中元，为平行磁场方向的电子流密度，尺，是电离率，它是电子温度Te、中性气体密 度no及电子密度n,的函数。Q,是平行磁场方向的能量