紫外LED技术动uv.docVIP

紫外LED技术动向 波长250～350nm半导体紫外LD与紫外LED的应用备受期待，主要原因是紫外LED激发，可以获得高演色性白光照明，而且它得驱动电路非常单纯，一般认为紫外LED未来可望成为白光LED照明的主要光源。至于高密度光数据储存用光源与化学产业的应用，同样备受全球高度期待，本文将探讨紫外LD与LED的技术动向。 波长250～350nm半导体紫外LD与紫外LED（Ultraviolet Light Emitting Diodes）的应用备受期待。(图一)是有关紫外LED与LD的应用市场发展蓝图（roadmap），其中紫外LD的白光照明、杀菌、医疗、生化领域应用，可望开拓庞大的市场规模。主要原因是紫外LED激发，可以获得高演色性白光照明，而且它得驱动电路非常单纯，一般认为紫外LED未来可望成为白光LED照明的主要光源。至于高密度光数据储存用光源与化学产业的应用，同样备受全球高度期待，接着本文要探讨紫外LD与LED的技术动向。 图一　紫外LED与LD的应用 发展经纬 如(图二)是氮化物半导体的结晶格子定数与能隙（band gap），以及各紫外气体雷射的波长关系，由图可知AlGaN具备3.46.2～eV紫外直接迁移发光波长范围，它几乎含盖所有气体雷射的波长。 氮化物半导体材料具备以下特征: （1）量子井的紫外高效率发光； （2）在宽广能隙（band gap）领域，可以制作n型半导体； （3）氮化物半导体材料非常坚硬、长寿命； （4）无砒霜等有毒物质。 因此经常被当作紫外发光组件的材料使用。最近几年紫外LED与LD不断朝短波长化、高效率化方向发展，(图三)是氮化物UV-LED室温动作时的外部量子效率，由图可知目前蓝光LED的外部量子效率已经超过40％，波长365nm InGaN 系紫外LED，也达成1W高输出目标，它的外部量子效率室温CW动作时为26％，脉冲动作时为44％，不过波长低于360nm时，发光效率会急遽下降只有数％左右。 造成发光效率下降主要原因分别如下: （1）AlGaN发光层的发光强度，对贯穿转位密度有很大依存性； （2）AlGaN的p型掺杂（Doping）非常困难； （3）为引发紫外吸收，无法使用GaN基板技术，高质量AlN单结晶基板，与低贯 穿转位密度的AlGaN还停留在研发阶段。 为实现波长比360nm更短的高效率氮化物发光组件，目前相关业者正开发全新的AlGaN组件技术取，试图代传统GaN /InGaN系术技术。 《图二　氮化物半导体的结晶格子定数与能隙，以及各紫外气体雷射的波长关系》 《图三　氮化物UV-LED室温动作时的外部量子效率》 在蓝宝石基板上制作AlGaN缓冲层时，贯穿转位密度高达109～1010 cm-2，如果在缓冲层上面制作AlGaN量子层，不易获得高效率发光，换句话说制作AlGaN系发光层的紫外高效率LED时，必需将穿转位密度抑制在1x107cm-2左右。 一般认为利用AlN单结晶基板或是ELO（Epitaxial Lateral Overgrowth）方法，制成高质量、低贯穿转位密度AlGaN 缓冲层非常有效，不过这种方式却有制作成本暴增之虞，它对紫外LD的重要性反而大于量产型紫外LED。 基于广泛应用性考虑，实现低价、量产、高效率紫外LED，现阶段即使AlGaN有贯穿转位密度问题，不过它仍旧是紫外LED常用的发光材料，例如InAlGaN 4元混晶含有Al成份的宽能隙（wide band gap），根据研究报告显示随着高质量InAlGaN混晶的制作条件、量子井结构的不同，可以获得280～380nm紫外高辉度发光，即使高贯穿转位密度，同样可以获得40％以上的内部量子效率，制成波长305～370nm紫外LED。 波长为350nm的紫外LED，如果使用AlGaN可以获得非常高的内部量子效率，由此可知InAlGaN对实现波长280～380nm量产型、高效率紫外LED具有决定性的影响。 氮化物LED短波长化时，会面临不易实现p型AlGaN等问题，尤其是p型AlGaN的Al组成比一旦变高，acceptor的活性化能量也会随着提高，其结果造成不易获得高浓度p型化，虽然目前Al组成30～40％左右的Mg Dope AlGaN可以获得p型化，不过更高的Al组成量测上非常困难。 低电洞（hole）浓度时，朝p型的电子溢流（overflow）会增加，朝发光层的电子效率则大幅降低，由于p层变成高阻抗导致sample过热导致发光效率降低。 高质量AlGaN AlN / Template的制作技术 制作波长360nm以下紫外LED时，为避免紫外吸收造成输出损失，大多采用无GaN结构，此时高质量蓝宝石/AlN范本（Template），成为制作紫外LED重要组件。 虽然在蓝宝石基板上可以制作低温长膜AlN（Low T