GaAs+6位DA研究.pdf

了声户.泛军二二 ‘‘ GaAs6位 DAC技 术 研 究 杨中月 梁玉英 郝景晨 廉亚光 专用集成电路国家级重点实验室， 电子工业部第十三研究所 河北省石家庄市 050051 摘 要:本文介绍一种GaAs6位DAC，时钟频率能够达到500MHz,采用全耗尽型GaAsMESFET制作， 平面凹槽工艺，最小线宽 1Nm,输入与ECL电平兼容，输出能驱动 50n负载.设计采用了倒T型权电流结 构，片上集成电流源阵列，最大静态功耗900mw. 引 言 随着数字化的发展 高速度、高精度的DAC有着越来越广泛的用处，在电子对抗、 光纤通讯以及仪器仪表等设备仪器上有着广泛的需求，由于GaAs电路具有速度快，功耗 小，抗干扰能力强等特点，国内外对GaAsDAC都展开了广泛深入的研究，目前国外利用 GaAsMESFET己经研制出时钟工作频率高达1GHz的14位DAC,”八五”期间，国内也研制出时 钟频率达到500MHz的GaAs4位DAC, 二. 电路设计 GaAs5位DAC的电路原理图如下 图1.GaAs6位DAC原理图 其中数字电路部分(触发器、驱动电路、输入缓冲)采用全耗尽型FET,BFL逻 辑,BFL逻辑具有摆幅大，速度决、驱动能力强等特点 并且工艺上容易实现，通过Pcspice 电路摸拟软件的模拟，我们精心选择了每个FET的尺寸，电路的阂值设计为一1.0V;模拟电 路部分主要是电流源阵列和模拟开关，在电路中实现上我们采用倒T型权电流的形式， 在电路中采用FET管的饱和电流作为加权电流，选取FET的栅宽来控制权电流的大小，如图 2所示，布局时电流源阵列尽可能在一起，以减少工艺的不均匀 尤其是阂值电压的不均匀 性，以提高整个电路的线性度，布线后整个电路的芯片面积为2X22, 220 WW,7 抑 汉 一 既 电流源阵列及开关阵列原理图 三. 电路制作 工艺流程图如下 图3.GaAs6位DAC制作工艺流程 电路的制作采用常规 GaAsMESPET工艺，栅采用TiPt/Au金属，源漏采用AuGe/Ni 金属，剥离工艺，隔离介质采用Si021通过挖槽工艺控制沟道的深度，控制闺值电压，为了 提高速度，增加了隔离介质的厚度，另外，我们为每道工艺都设计了相应的工艺监测图形， 这些监测图形使浅们每道工艺都成为可以度量的、确保了我们气一道工艺的顺利，提高了 电路的完整性;图4为GaAs6位DAC的芯片照片。 图4.GaAs6位DAC芯片的照片 22! 四. N!9试及结果 1.静态测试 静态测试在时钟频率20KHz下进行，输入6路E瓦电平数据信号和1路BFL电平的时钟 信号 如 下图 : A B C O E F r 图5.静态测试输入信号示意图 在时钟频率20KHz时，按照图5.所示把信号输入到电路