GaAs+MESFET电压驱动器研究.pdf

2005’全国微波毫米波会议论文集 GaAs MESFET电压驱动器 陈新宇 (南京电子器件研究所，210016，CHNC) 摘要：采用射频GaAs集成电路的技术，开发GaAsMESFET低功耗电压驱动器电 路，电路采用3英寸0．Sum栅长GaAs圆片工艺，单路TTL电平输入，输出两路互补的 电压信号。高电平0．2V，低电平．4．1V，驱动器工作电流0．7rnA。 关键词：砷化镓、MESFET、驱动器、集成电路 GaAsMESFETDRIVER CHEN Xinyu ElectronicDevices 1001 (Nanjing Institute，26，CHN) MESFET Abstract：AGaAs drivermonolithicis inthis depletion presentedpaper． Thecircuit formone TTL at a operates way signal input，andprovided appfied level is levelis一4．IV． 0．2V,low complementaryoutput，high signal words： Key GaAs；MESFET；DRIVER；MMIC 1．前言 在数控衰减器、射频开关的应用中，通常加两路互补的控制信号。为了方便使用， 利用驱动器电路，可以将一路控制信号转换为两路互补的控制信号。随着技术的发展， 驱动器在数控衰减器、射频开关的使用越来越广泛，目前驱动器一般采用硅集成电路， 通过多芯片封装技术将开关、衰减器封装在一起。 随着移动通讯技术飞速发展，其中GaAs射频集成电路特别是数控衰减器、射频开 关等产品得到了广泛的应用，随着产品功能的多样化，体积的小型化的要求，驱动器和 开关、衰减器集成在同一芯片上将成为一种趋势，其在封装、使用、成本等方面具有独 特的优势。GaAs驱动器的研制成为技术发展的方向。和硅基的驱动器电路相比，GaAs 驱动器的功耗大，不利于使用。本文介绍了一种低功耗的GaAs驱动器的设计和加工， 1386 2005’全国微波毫米波会议论文集 其性能可以满足GaAs数控衰减器、射频开关的需求，功耗水平低，采用工艺和GaAs 数控衰减器、射频开关的工艺兼容，为进一步的集成打下了基础。 2．驱动器的设计 GaAs驱动器的设计的难点是利用模数兼容工艺，降低驱动器的功耗。为了不降低射 频集成电路的性能，采用RF GaAs工艺完成电压驱动器的加工。在硅电路的设计中，采 用CMOS结构，大大降低电路的功耗。在GaAs的数字电路中，大多采用E／DFET和低 夹断的MESFET工艺，以实现电路功能和低功耗的要求。这两种技术在实现模数兼容 电路上，存在工艺复杂，器件性能不能满足射频集成电路的要求等问题。 为了满足射频集成电路的性能要求，采用高夹断的全耗尽的MESFET器件和射频 GaAs