GaInP2GaAsGe三结太阳电池集成旁路二极管模型及工艺讨论研究.pdfVIP

化合物半导体和空间用太阳电池及材t-t-．253． ，模型及工艺讨论 姜德鹏 张玮 张忠卫池卫英 ‘ 上海空间电源研究所上海200233 ’? 【摘要】 应用异质结物理和等效电路方法建立了集成旁路二极管在有光和暗条件下的模 型；从干法和湿法刻蚀方面设计了适合集成旁路二极管制作的工艺；对测试方 法进行了讨论，并且建立一套完善的测试标准。对两种模型采用工艺方案成功 的实现了旁路二极管制作，并应用于批量生产中． 【关键词】 多结太阳电池集成旁路二极管湿法刻蚀旁路二极管测试标准 andtechnicsof MonolithicDiodesfor SolarCells Design Bypass GaInP2／GaAs／Ge Wei Chi JiangDepengZhangZhangZhongweiWeiying Instituteof Power 200233 Shanghai Space sources，Shanghai 0引言 辐射能力成为目前世界上最具竞争力的新一代空间主电源。旁路二极管是与一片或多片太阳 电池并联的二极管，它可以降低因局部阴影、电池坏片或单体电池失效造成整串电池失效的 危害，保护其旁路的电池。对于高功率的三结太阳电池，应用旁路二极管可以增强其空间应 旁路二极管与分离式旁路二极管相比，减少了太阳电池串联过程中焊接操作，提高了工作效 可靠性测试等工作将于本文阐述。 1模型分析及研究制作 1．1 旁路二极管工作原理分析 对于以pn结为基础的电池来说，光生电流是以漂移电场为驱动机制的类反向电流(图1)， ·254· 中国太阳能光伏进展 当它被其他物体遮挡或没有太阳光照射到其表面时，pn结两端准费米能级分离减少或者为零 导致多子扩散的势垒大幅增加从而太阳电池显现高阻状态(图2)， 图1 电池正常工作时能带图 图2 电池部分阴影工作时能带图 此时电池成了一个负载而其他正常工作电池的电压会加上使其处于反偏情形。因此由于 局部阴影的存在会导致太阳电池板中的某些电池的电压V增加很大，这个增大的电压要么把 电池击穿，要么其使电池局部电流与电压之积增大，从而在这些电池片上产生局部升温，这 种现象叫做。热斑”。热斑不但消耗能量，而且在最坏的情况下有可能导致无光太阳电池被烧 毁。应用旁路二极管后，如果在与电池并联一个反向二极管当电池被阴影遮挡出现反偏时， 二极管恰好正向导通，从而保证了整串电流的稳定，同时保护了阴影区电池(图3)。 图3带有旁路二极管的太阳电池组件 1．2集成式旁路二极管 集成式旁路二极管主要分为相邻式(图4)和本体式(图5)两种。相邻式集成旁路二 1极管应用了三结太阳电池的p／n结，通过隔离槽及电池串联形成反向并联，其优点是制作简 便，缺点是依赖于电池本身的结构，性能改进空间小；本体式集成旁路二极管直接生长在Ⅲ． V族太阳电池上；可以对p／n结进行性能设计，提高其反向击穿电压和降低其导通电压，保 证其可靠性，同时简化了串联工序。我们分别对两种集成式旁路二极管进行了研究。 图4相邻式集成旁路二极管串联 图5本体式集成旁路二极管串联 化合物半导体和空间用太阳电池及材料 ·255． 1．3工艺实现 i 两种集成式旁路二极管的工艺关键技术包括结构上的分离与电路上的集成。