GaInPInGaAsGe三结叠层太阳电池光电流的改进研究.pdfVIP

GaI nP／(In)GaAs／Ge三结叠层太阳电池光电流的改进 涂洁磊张忠卫王亮兴池卫英 陈超奇万斌曾隆月 陈呜波 上海空间电源研究所200233上海 (AM0。25℃)。 光电流 关键词：GalnP／(In)GaAs／Ge三结叠层太阳电池窗ISl层设计(In)GaAs中电池 场助收集效应 0引言 GalnP／(1n)GaAs／Ge三结叠层太阳电池应用广泛【I21。 结太阳电池为单片式两端叠层电池，其各子电池电学上为串联连接，电压为子电池电压之和Vl+V2+V3， 本文将从太阳电池的光学性能入手，讨论材料选择及n／p结构设计对电池性能，特别是光电流的影响。 1理论计算与分析 。 1．1 Ge电池窗口层设计 mA／cm2。若考虑实际工作状态(即： Ge电池，带隙为O．67eV较窄，其光电流密度理论值Jph为79．1 Ge电池厚度～170啦n，仅能吸收能量小于1．424eV的光子)，则Jph=37．0 三结叠层太阳电池光电流的两倍。但是，后续生长过程中Ge的外扩散、与其他材料的晶格失配等问题， 将导致电池反向饱和电流增加，使Ge电池电压下降，进而影响整个叠层电池性能。制作合适窗口层可 有效避免上述问题的出现。其材料的选取，既要保证有足够的太阳光入射到Ge电池，又必须与Ge材 料有良好的晶格匹配，达到有效降低表面(界面)复合的目的；其厚度必须足以避免Ge反扩散对后续 外延层产生不利影响，其浓度选择则应保证窗口层导带与Ge电池发射层导带形成(空穴)势垒，提高 获得较高性能Ge底电池。如果在结构设计与制作方面进一步改进，可得到具有较好量子效应的Ge电 池，其电压也将明显提高。 ·-一126··—- 表l不同窗口层材料Ge底电池性能比较 Tablel of cellswithdifferentwindowmaterials Ge Comparation 窗口层材料 Voc(mV)Jsc(mA／cm2)FF q(％) 无 160．1 17．5 O．340 0．704 AIGaAs 165．8 19．6 0．363 O．872 GaAs 172．8 20．2 0．385 0．993 GalnP 230．1 54．6 0．517 4．798 1．2 GaAs中电池设计 为降低少子寿命、抑制光生电流的主要因素。为此，工作中选择与Ge有更好晶格匹配、具有合适IIl 的红移，提高太阳光中波段部分的利用。外延生长的晶体质量测试结果(图1)显示，In。GaI．xAs与 暗电流将明显减小。 。 ， 一 ^3各重‘ 一 硼 锄 ● aM, 删 柚 _ a艏口岫l硼I 图1 InGaP／(In)GaAs／Ge三结叠层太阳电池X-ray双晶衍射谱图 of cells Fig．IX—raypattersInGaP／(In)lGaAs／Ge