模电第七章 频率响应中的基本概念.pptVIP

结果讨论 通过以上分析，为设计宽带放大器提供了依据。 1.选择晶体管的依据 2.关于信号源内阻Rs 3.关于集电极负载电阻RC的选择原则 4.关于负载电容CL rbe RC RB Rs + - RL Cbe rbb CM1 CM2 CM2很小，可以忽略 RL= RL // RC rbe RB Rs + - rbb Ci RC RL rbe RB Rs + - rbb Ci RL RB RS rbe Rs + - rbb Ci RL Rs + - Ci RL Rs= rbe //( rbb +Rs ) |A(jω)| dB f f 0 fH -90o -45o -20dB/十倍频程 -45o/十倍频程 10fH 0.1fH Rs + - Ci CL - + 负载电容和分布电容的影响 Rs + - Ci RL CL RL Rs + - Ci RL CL - + -20dB/十倍频程 -45o/十倍频程 |A(jω)| dB ω ωH1 ωH2 0.1ωH1 -40dB/十倍频程 ω 0 -90o -45o ωH1 ωH2 0.1ωH1 -180o -90o/十倍频程 在二阶低通系统中，如果一个极点远离另一个极点，那么频率低的极点对整体的频率响应起决定作用，称之为主极点。例如，若ωH2 ωH1 ，则电路的上限频率近似等于主极点频率fH1 Cbe，Cbc视为断路 三、 低频区 rbe RC RB C1 Rs + - RL C2 CE Cbe Cbc RE rbb rbe RC RB C1 Rs + - RL C2 CE RE rbb rbe RC C1 Rs + - RL C2 CE rbb Ri rbe RC C1 Rs + - RL C2 rbb CE 1. 将CE折算到输入回路，记为CE rbe RC C1 Rs + - RL C2 rbb CE rbe RC C1 Rs + - RL C2 rbb CE 1. 将CE折算到输入回路，记为CE 2. 将CE折算到输出回路仍为CE ，因CEC2 ，故CE作用可忽略 3. CE 4. 将受控电流源 与RC化为电压源，电路等效为两级RC高通电路 rbe RC C Rs + - RL C2 rbb rbe RC C Rs + - RL C2 rbb - + rbe RC C Rs + - RL C2 rbb - + 幅频响应 相频响应 +20dB/十 +40dB/十 A(ω)dB f 20lg|AuIs| fL2 f 0 180o 90o fL1 0 四、完整的频率特性 0 上限频率由结电容决定， 下限频率由隔直流电容决定 7.5 共集电路的高频特性 一、 Cb′c的影响 由于共集电路集电极直接连接到电源，所以Cb′c相当于接在内基极“b′”和“地”之间，不存在共射电路中的密勒倍增效应。因为Cb′c本身很小(零点几～几pF),只要源电阻Rs及rbb′较小， Cb′c对高频响应的影响就很小。 高频响应好(Cb‘c不存在密勒效应； K≈1， Cbe密勒等效电容很小) 第7章 频率响应 失真 一、 频率失真 7.1 频率响应中的基本概念 ui(t) t uo(t) t td uo(t) t td1 td2 幅度失真 相位失真 二、 线性失真和非线性失真 起因不同 线性失真由电路中的线性电抗元件（电阻、电容、电感等）引起， 非线性失真由电路中的非线性元件（晶体管、场效应管的非线性）引起。 2. 结果不同 线性失真不产生新的频率分量信号，非线性失真产生输入信号中所没有的新的频率分量。 频率特性的主要特征参数 低频区 中频区 高频区 实际幅频特性 理想幅频特性 半功率点L 半功率点 H 实际的放大器幅频响应 0 上限频率fH： 高频放大倍数下降为中频区的 下限频率fL： 低频放大倍数下降为中频区的 通频带： 时所对应的频率 时所对应的频率 增益带宽积： 用分贝表示H，L点的增益G 半功率点： H，L 又称H，L点为-3dB频率点，BW为-3dB带宽 波特图：在半对数坐标中近似表示频率特性的曲线 设电压增益为AuI （常数），则幅频特性为|A( jω)|= AuI ，相频特性为ψ( jω)=0 (AuI 0时) ψ( jω) ω 0o 频率特性的波特图表示 |A( jω)|dB ω 0 -180o 一、 RC高通电路的频率特性 令： 幅频响应 相频响应 R2 C2 1. 幅频响应 2. 相频响应 +20dB/十倍频程 -45o/十倍频程 ψ(jω) |A(jω)|dB f f 0 0dB -3dB -20dB 0dB f2 90o 45o 0.