氧化锌基发光二极管的研究进展精选.pdfVIP

· 28 · 材料导报 A：综述篇 2013年 1月(上)第27卷第 l期 氧化锌基发光二极管的研究进展 吴素贞 ，邓赞红 ，董伟伟 ，方晓东 (1 中国科学院安徽光学精密机械研究所安徽省光子器件与材料重点实验室，合肥 230031； 2 中旧科学技术大学环境科学与光电技术学院，合肥 230029) 摘要 概述了ZnO材料的发光性质 以及 Zn()基发光二极管(I．ED)器件的发展历程、工作原理和技术路线。 详细介绍了各种结构的ZnO基同质结、异质结 I．ED及一维ZnO纳米线 棒阵列异质结 I．ED的最新研究成果，存在 的问题 以及改进 的方法。通过改进器件结构、提高材料质量和采用新型纳米结构材料 ，使得 Zn()基 I．ED的光谱质量 和电致发光效率有了本质提高。 关键词 Zn() I．ED 同质结 异质结 中图分类号：()475 文献标识码：A RecentAdvancesinZnO__basedLight_。emittingDiodes W U Suzhen ，DENG Zanhong ，DONG W eiwei，FANG Xiaodong， (1 AnhuiProvincialKeyLaboratoryofPhotonicDevicesandMaterials，AnhuiInstituteofOpticsandFineMechanics， ChineseAcademyofSciences，Hefei230031；2 CollegeofEnvironmentalScienceand()ptoelectronicTechnology， UniversityofScienceandTechnologyofChina，Hefei230029) Abstract TheluminescencecharacteristicsofZnO materialsand therecentprogressinZnO-basedlightemit— tingdiodes(LEDs)involvingthedevelopmentcourse，theelectroluminescenceprincipleandthetechnicalroutearein troducedbriefly．SometypicalI．EI)devicesincludinghomojuctionstructures，hderojunctionstructuresandnewstruc tureswithZn()nanowiresornanorodsandtheirworkingmechanism arediscussedindetail．Themainexistingprob lemsofthestructuresarealsoanalyzed．Inconclusion，theluminescentspectrum andquantum efficiencyareimproved dramaticallybychangingdevicestructures，improvingmaterialqualitiesand employingnew typeofZnO nanostruc tures． Keywords ZnO，LED．homojunction，heterojunction 半导体发光二极管 (IED)与常规照明光源相 比，具有耗 长温度较低 。室温下，Zn()禁带宽度 (E)为 3．37eV，激子 电低、寿命长、体积小、成本低、节能环保等优点，在各个领域 束缚 能高达 6OmeV，远大于 ZnSe(19hieV)和 GaN(28 里具有广阔的应用前景。LED作为一种注入型的电致发光 meV)的激子结合能，使得室温下ZnO的激子具有更高的稳 半导体器件 ，依靠电子在能级间辐射跃迁产生光，其发光波