氮气氛保护下直拉硅单晶的直径控制研究.pdfVIP

一门习了vv./2o.了了 氮气氛保护下直拉硅单晶的直径控制 沈益军 赵松宏 肖世豪杨光宇 工乞 (浙江大学丰导体厂，杭州310027) 摘 要 在大直径硅单晶生长中，直径拉例是十分关健的，它立接影响单晶的 成品率。影响直径拉创好坏的因素很多，而保护气氛的种类、流贵和压力等是影响 直径拉制的重要因素。采用浙江大学的专利弄艺— 减压氮保护硅单晶生长，不但 对硅片的机械性能、电学性能有极大的提高，而且对单晶的立径拉钊亦有利。本文 正是研究了这方面的机理。 1 引 官 器==一(2rh),/2(:一To) “， 随粉半导体行业的蓬勃发展，大直径硅 片逐渐成为主流产品。而形响大直径硅单晶 式中h共a/k,,e品体与环境的热交换 成品率的诸多因素中，除了单晶内部质t的 系数,k晶体的热传导系数，，晶体的半径。 控制，如氧、碳、电阻率、均匀性、旋涡以 此关系已为SCott(2)的实验所证实，实 及OSF等以外，随着单晶直径的不断增大， 验湘f还显示出在固液界面附近，aT/az为 直径控制亦越来越突出它对成品率的影响。 常数。这一点与Arizumi和Kobayaahi[sl有关 首先，需要直径稳定，单晶圆，以减少滚回 增场壁裸尽深度对温场的影响的计算相一 的损失及劳动强度;其次，要求直径控制过 致。 程平德，即拉速起伏必须小，以避免过大的 根据固液界面处能t守恒，即由液体流 拉速起伏对单晶的内在质f产生形响。决定 向固体的热f加上结晶放出的热A}w等于由晶 直径控制是否理想的直接因素是单晶护的设 体流开固液界面的热址，简化为一维模型: 计状况，包括热场配tI和生长控制过程的设 、二Kx，,aaTz,一K,鲁 (2) 计，及控制参数的调整。但另一方面，在大 方程(2)中，L为结晶潜热，晶体的温度 直径硅单晶生长过程中，工艺条件对直径控 梯度3T,/az可由方程(1)得出，且T,=T, 制的影响亦越来越突出。在生产过程中，我 熔体中的温度梯度aT,/az可由引人温度边 们发现，拉晶保护气氛的种类、压力、流t 界层。T得 等都直接影响单晶的直径控制。本文正是研 究了这些影响的机理，以便为更好地进行大 aaTz,=T,‘一T)/OT (3) 直径单晶生长控制提供参考依据。 T,为熔体的平均祖度， 2 理论分析 以(1),(3)代人(2)得: 根据关于晶体温场的分析川，晶体轴向 温度梯度aT/az，与温度 T之间成线性关 T)/o,+ 、(二一、h/))22l(r二*:(T,- 系 : VAL (4) ·73 . ) 5 无,(T:一TO+VP,LJT 用D代替;，且h二:/k:得: (丝)1/2二