氮化镓基电子与光电子器件研究.pdfVIP

第6卷第3期 功能材料与器件学报 Vol.6,Na.3 2000年9月 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICES Sept，2000 文章编号:1007一4252(2000)03一0218一10 氮化稼基电子与光电子器件 李效白 (专用集成电路国家重点实验室，石家庄050002) 摘要:GaN具有宽禁带、高击穿电压、异质结沟道中高峰值电子漂移速度和高薄层 电子浓度等特点，是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料。宽禁带 1B一V族化合物半导体的性能和研究进展已经使大功率紫外光/蓝光/绿光光发 射二极管走向商业市场，证明InGa.As/GaN/AIGaAs紫罗兰色异质结激光器能够 在室温和脉冲或连续波条件下工作，是性能优越的光电器件的理想材料。本文综 述了上述研究成果。 关健词:氮化硅;发光管;激光管;场效应管;异质结双极晶体管 中圈分举昙:TN365 女献梳识码:A 1 引言 氮化稼研究历史上几个重要的里程碑是:RCA公司的Maruska和Tietje。生长的第一个 GaN异质结外延层，1970年Pankov。制作的MIS型GaN蓝光LED;Akasaki和Amano在蓝宝 石上生长的低温缓冲层和p一型GaN;1991一1995年Nakamura制作的GaN蓝光LEDo 1992年p一。结型GaN发光二极管的外部量子效率是1.5%，经过这些年的发展，P一N 结型LED的亮度已经从0.2cd/m增加到2.5cd/m，在20mA下，ADHAIGaN/InGaN/GaN 的LED的效率已经上升到3.9%. 对短波长的GaN基量子阱光发射器件进行了大量的研究工作。量子阱的优点包括激光 二极管(LD)9值电流密度降低，对温度的敏感性降低。早期的研究工作主要关心量子尺寸 效应，如光荧光的峰值能量向高能量端漂移。最近，更高效率的GaN基单量子阱LED已经报 道，可使用于可见光区域，如蓝光、绿光和黄光。InGaN/GaN的GaN基超晶格多量子阱结构 使发光效率增强了差不多两倍。 由于氮化稼具有宽带隙、高击穿电压、高电子峰值速度(室温达到2.7x10cm/s)、高电 子薄层浓度(当使用异质结构薄层沟道时，其浓度达到10em-`)，因此特别适合于制作高温 大功率器件。GaN器件至少能够工作到5000C,温度不仅对于高温工作是重要的，对于大功 率工作也是非常有利的，因为大功率工作时器件自身有功率耗散。 现在氮化稼已经成为新一代半导体器件用的具有代表性的材料。 收稿日期:2000-08一18;修订日期:2000-09-01 作者简介:李效白1〔941一)，男。研究员，多年从事化合物半导体功率器件和电路的研究工作 3期 李效白:氮化稼基电子与光电子器件 Z GaN器件制作工艺 制作欧姆接触主要采用两种方法，一种是用功函数差的自然形成方法，另一种是对半导 体一侧进行重掺杂使势垒变薄的电子隧穿法。 使用TIAI双层结构，在900oC退火使接触电阻率达到8x01 众‘耐 。对于n一型GaN欧 姆接触而言，广泛研究的是T，和川基金属化方法，如Tl/AI、Ti/A。、Ti/AI/Ni/A。、Pd/从、 AI、Ti等，能实现01一5一01一Bn ·cmZ低接触电阻。对于p一GaN欧姆接触而言，它的技术障碍 是:(1)很难生长p10，日cm一’重掺杂的GaN;(2)没有一种功函数大于p一GaN(约7.sev) 的适当金属，因此接触电阻往往大于10一Zn ·。澎。欧姆接触rc/Au接触电阻率为4.lx 10一n‘·cm，，欧姆接触Ni/pt/Au接触电阻率为2.1/10一’n·cm，op一GaN:Mg(3/10，，cm 3)用R/Ni/Au(加nm/3onm/sonm)金属化做欧姆接触，N:气氛3500c退火lmin，接触电阻 率做到sxol一4n·。耐，是至今最好的结果。表1和表2分别是对p一型GaN的欧姆接触电 阻率和对。一型GaN接触电阻率小于10一0‘·C耐欧姆接触。 表IP一型GaN的欧姆接触