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沉淀法制备片状、球状、柱状纳米掺铟氧化锌及其表征研究.pdf

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第 18卷第 1期 粉末冶金材料科学与工程 2013年 2月 v0l_18No1 M aterialsScienceandEngineeringofPowderM etallurgy Feb.2013 沉淀法制备片状、球状、柱状纳米掺铟氧化锌及其表征 朱奕漪,段学臣,段文杰,程亚娟,蒋 波 (中南大学 材料科学与工程学院,长沙 4100831 摘 要:采用沉淀法,以Zn(Ac)e-2H2O和 InC13为反应物制备不同形状的纳米掺铟氧化锌(ZIO)。通过 x射线衍 射(XRD)和能谱分析(EDS)确定 In可进入ZnO晶格,且ZIO晶化度随In掺杂量的升高而降低。铟掺杂量为0.5%、 1%(原子分数)的ZIO粉体显微粒度分别为20am、50am,由激光衍射粒度分析可知,后者的均一性更好、中位 径更小。在透射 电镜(TEM)$H扫描 电镜(SEM)下观察薄片状、类球状、六棱柱状的ZIO,并对不同形貌的ZIO形 核机理进行探讨。 关键词:ZIO;沉淀法;In掺杂;粒度 中图分类号:TB383.1 文献标识码:A 文章编号:1673.0224(2013)1.59.07 Preparationandcharacterizationoflamellar,spherical, hexagonalcolumnarindium—dopednanoZIO by precipitationmethod ZHUYi—yi,DUANXue—chen,DUANWen-jie,CHENGYa~uan,JIANGBo (SchoolofMaterialsScienceandEngineering,CentralSouthUniversity,Changsha410083,China) Abstract:Indium—dopedZIOwithdifferentmorphologieswerepreparedbytheprecipitationmethodusingZn(Ac) 22H2O andInC13asraw materials.XRD andEDSmeasurementsconfirm theincoprorationoftheIn intothecrystalline latticeofZnO,andZIO Crystallinereduceswith increasing In” doping concentration.Microscopicparticlesizeof indium—dopedZnO samplesat0.5% and1% In /Zn molarratioare20nm,50nm ,respectively.Laserdiffractionparticle sizeanalysisindicatesthatthelatter’Smedian diameteriS1ower,andmoreevenlydistributed.Transmissionelectron microscopy(TEM)andscanningelectronmicroscopy(SEM)measurementsshowthatlamellar,spherical,hexagonal columnar-likeZIO crystals,whoseshapesresultfrom thetypeofprecipitnats,andthenucleationmechnaismsofZIO withdifferentmoprhologiesarealsodiscussed. Keywords:ZIO;Precipitationmethod;indium doping;granularity ZnO是 1种性能优异的宽禁带直接带隙半导体材 粒形貌可控 ,但对设备要求高,反应条件苛刻。

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