半导体导电特.ppt

半导体的导电特性及PN结 主讲老师:刘遥生 电话 短号:746339 QQ:1132373680 第1课 第1课 半导体导电特性及PN结 目的: 了解常用半导体器件的基本结构、工作原理、特性和参数，学会分析含有二极管的电路。为学习电子技术和分析电子电路打下良好的基础。 第1课 半导体导电特性及PN结 内容： 一、半导体的导电特性 二、PN结及单向导电性 学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。 对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。 器件是非线性的、特性有分散性、RC 的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。 电子技术的基础是半导体器件，对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。我们讨论器件的目的在于应用。 14.1 半导体的导电特性 什么叫半导体? 如：硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体 顾名思义,就是它的导电能力介于导体和绝缘体之间。 14.1 半导体的导电特性 半导体的导电特性： (可做成温度敏感元件，如热敏电阻) 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变，几十万或几百万倍提高。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化。 热敏性： 当环境温度升高时，导电能力显著增强。 (可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。 14.1.1 本征半导体 用得最多的半导体，是锗和硅。它们各有四个价电子，都是四价元素 硅 Si 的原子结构 + + (a) (b) 锗 Ge 的原子结构 将锗或硅材料提纯并形成单晶体后，所有原子便基本与平面上整齐排列，其立体结构图与平面示意图如下所示。半导体一般都具有这种晶体结构，所以半导体也称晶体，这就是晶体管名称的由来。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 Si Si Si Si 价电子 价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为空穴（带正电）。 本征半导体的导电机理 这一现象称为本征激发。 空穴 温度愈高，晶体中产生的自由电子便愈多。 自由电子 本征半导体的导电机理 在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。 本征半导体的导电机理 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流： 1）自由电子作定向运动 ?电子电流 2）价电子递补空穴 ?空穴电流 自由电子和空穴都称为载流子。 自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。 本征半导体的导电机理 注意： 1. 本征半导体中载流子数目极少，其导电性能很差； 2. 温度愈高， 载流子的数目愈多，半导体的导电性能也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大。 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。 磷原子的结构 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。 在N 型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 动画 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 掺入三价元素 Si Si Si Si B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 硼原子的结构 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 掺入三价元素 Si Si Si Si 在 P 型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流