模拟电子技术第5讲.ppt

* * * 3 二极管及其基本电路 PN结：空间电荷区、耗尽层、势垒区、阻挡层 PN结的形成 PN结的单向导电性－伏安特性及其表达式 PN结的其它性质－反向击穿、电容效应 上 讲 回 顾 * 3.3.1 二极管的结构 3.3 半导体二极管 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 二极管按结构分 点接触型 面接触型 平面型 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等 高频电路。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造中。PN 结面积可 大可小，用于高频整流和开关电路中。 (4) 二极管的代表符号 阴极 阳极 箭头的方向表示PN结外加正向电压时流过 二极管的电流方向。 (5) 二极管的图片 * 3.3.2 二极管的伏安(V--I) 特性 二极管的伏安特性曲线和PN结伏安特性曲线基本相似，均可用下式表示： 硅二极管的V-I 特性 锗二极管的V-I 特性 0 u D / V 0 .2 0 . 4 0 . 6 - 2 0 - 4 0 - 60 5 10 1 5 20 - 10 - 20 - 3 0 - 40 i D / m A i D / mA ② ① ③ V th V BR 正向特性 反向特性 反向击穿特性 二极管的伏安特性 3.3 半导体二极管 * E R D mA mV 开始时，外加正向电压很小，正向电流几乎为零；当正向电压增加到VTH时，开始产生正向电流，将此电压称为死区电压。 二极管导通后，其两端的压降基本不变，硅二极管的导通压降约为0.7V；锗二极管的导通压降约为0.2V； 3.3.2 二极管的伏安(V--I) 特性 3.3 半导体二极管 随着正向电压的增加，正向电流缓慢增加，当正向电压增加到一定值时，正向电路突然猛增，二极管导通. * (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 极间电容CB 3.3.3 二极管的主要参数 指管子长期运行时，允许通过的最大正向平 均电流。 如，2AP1的IF=16mA 3.3 半导体二极管 (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM 指管子反向击穿时的电压值。 手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电 压的一半，以确保管子安全运行。 如，2AP1的VRM=40V,VBR=20V (3) 反向电流IR 指管子未被击穿时的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。 由于温度升高，反向电流会明显增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。 如，2AP1的IRM≤250μA (4) 正向压降VF 指管子正向导通后，其两端的电压值。 硅管的VF=0.7V，锗管的VF=0.2V 硅管的门坎(死区)电压Vth=0.5V，锗管的Vth=0.1V 硅二极管的V-I 特性 VF 锗二极管的V-I 特性 VF * (1) 最大整流电流IF (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM (3) 反向电流IR (4) 正向压降VF (5) 极间电容CB 3.3.3 二极管的主要参数 指管子长期运行时，允许通过的最大正向平 均电流。 如，2AP1的IF=16mA 3.3 半导体二极管 (2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM 指管子反向击穿时的电压值。 手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电 压的一半，以确保管子安全运行。 如，2AP1的VRM=40V,VBR=20V (3) 反向电流IR 指管子未被击穿时的反向电流，其值越小，则管子的单向导电性越好。 由于温度升高，反向电流会明显增加，所以在使用二极管时要注意温度的影响。 如，2AP1的IRM≤250μA (4) 正向压降VF (5) 极间电容CB 极间电容是反映二极管中PN结电容效应的参数。Cd=CD+CB，在高频或开关状态运用时，必须考虑极间电容的影响。 * 半导体器件的型号由五个组成部分 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 用阿拉伯数字表示器件的电极数目 用汉语