模拟电子技术课件第1章1.1-1.2.pptVIP

上页 下页 后退 模拟电子 2) 电路模型 1） 伏安特性 3. 折线模型 uD iD o uth rD – + uD iD uth rD Q越高，rd越小。 当二极管在静态基础上有一动态信号作用时，则可将二极管等效为一个电阻，称为动态电阻，也就是微变等效电路。 ui=0时直流电源作用 小信号作用 静态电流 4. 二极管微变等效电路 动态电阻 1.2.5 稳压二极管 特点： a. 正向特性与普通管类似 稳压管通常工作于反向电击穿状态用来稳定直流电压 伏安特性 – + iZ uZ uZ Q B A 0 UZ iZ IZ ?UZ ?IZ 符号 b. 反向击穿特性很陡 1. 硅稳压管的主要电参数 （1）稳定电压 （4）动态电阻 （3）最大允许功率耗散 （5）温度系数 uZ Q B A 0 UZ iZ IZ ?UZ ?IZ （2）稳定电压 温度每变化1oC时UZ的相对变化率。即 UZ 6V管子出现雪崩击穿，αU为正； UZ 4V 出现齐纳击穿，αU 为负。 UZ介于4V到6V之间，αU可能为正，也可能为负。 温度系数 定义： 2. 硅稳压管的等效电路 反向击穿时端电压表达式 反向 正向 理想二极管 uZ Q 0 UZ iZ IZ UZ0 等效电路 D1 D3 D2 rZ UZ0 3. 硅稳压管稳压电路 R——限流电阻 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 限流电阻计算 输出电压稳定的条件: （保证稳压管被击穿） DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ Iz(min)≤Iz≤IZ(max) 保证稳压管可靠工作的条件： DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ UO=UZ 图中 IZ = I－IO DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 1. 发光二极管 1.2.6 其它类型二极管 2. 光电二极管 光电二极管的伏安特性 光电流（恒流） 无光 暗电流 有光 光电接收二极管 反偏状态 光电路（恒流） 光电流与照度线性关系 * * IS—PN结反向饱和电流 UT —热电压 式中 UT=KT q q——电子电量 T——绝对温度 在室温（T=300K)时， K——玻耳兹曼常数 其中 （1）当u=0时， i = 0 （3） 当u0，且|u|UT时， i ? -IS 讨论： （2）当u0，且uUT 时， 4. PN结的伏安特性 当反向电压超过UBR后稍有增加时，反向电流会急剧增大，这种现象称为PN结击穿 UBR 为PN结的反向击穿电压。 击穿的类型： 根据击穿可逆性分为 电击穿 热击穿 c. 降低反向电压，二极管仍能正常工作。 PN结被烧坏，造成二极管的永久性损坏。 二极管发生反向击穿后，如果 a. 功耗PD( = |UDID| )不大。 b. PN结的温度小于允许的最高结温 硅管150∽200oC 锗管75∽100oC 热击穿： 电击穿： a. 齐纳击穿 电击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿 半导体的掺杂浓度高 击穿电压低于4V 击穿电压具有负的温度系数 空间电荷区中就有较强的电场 电场将PN结的价电子从共价键中激发出来。 击穿的机理： 条件 击穿的特点 半导体的掺杂浓度低 击穿电压高于6V 击穿电压具有正的温度系数 空间电荷区中就有较强的电场 电场使PN结中的少子“碰撞电离”共价键中的价电子 击穿的机理： 条件 击穿的的特点 雪崩击穿 总 结 掺杂 PN 击穿 温度 形成 浓度 结 电压 系数 原因 齐 高 薄 4V 负 价电子受激发 纳 雪 低 厚 6V 正 少子加速 崩 碰撞电离 PN结具有电容效应，分为势垒电容和扩散电容。 一是势垒电容Cb ，PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相同，其等效电容称为势垒电容Cb。 二是扩散电容Cd PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的过程，其等效电容称为扩散电容Cd。 5. PN结的电容效应 （1）势垒电容Cb U P N + + + +