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保护环在碲镉汞红外探测器中对少子扩散抑制效应的研究
贾嘉1 陈贵宾’奎知觉1 孛向阳1 龚海梅1
(1.中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室上海200083)
(2.中国科学院上海技术物理研竞所红外物理国家实验室.上海200083)
摘要:保护环结构被广泛地运用于当今的硅电路设计中。但在红外光电器件中却很少有应用.
随着近年来军事与航天用红外焦平面列阵中碲镉汞光伏探删器的尺寸不断减小。p-n姑对结区外裁
流子的收集效应造戌实际的有效光敏面面积比设计尺寸相对大了许多.有效光敷面的扩大会导致元
件之间的串音。使列阵成像模糊;如果仍用光敏元面积的设计值计算还会得到探测器性能的虚假提
高.因此有效光敏面面积扩大的问题已成为小尺寸探测器设计中一个不客忽视的重要环节.本文中
在短波碲镉汞光伏器件上利用激光诱导电流(LBIC)检测技术和变磁场电流一电压(I-v)谱的方法
对保护环结构在抑制收集效应中的作用进行了研究。并取得了较为满意的结果.
关键词:保护环;短波红外;碲镉汞光伏器件;LBIC;变磁场I—v特性
1.引言
无偏压的保护环结构被广泛地运用于当今的硅电路设计中,但在红外光电器件中却很少有应用
研究的文献报道.短波磅镉汞(Hgt.1cd。Te)光伏器件由于阻抗高等优点,被广泛地用于制备室温工
作的红外焦平面列阵,越来越多地应用于军事与航天工业.但随着近年来焦平面列阵中探测器的尺
寸不断减小.当器件的尺寸和扩散长度可比时,p-n结对结区外一个少子扩散长度内的光生载流子的
收集效应就不能被忽略了.如果在有效光敏面面积扩大的条件下,仍用光敏元面积的设计值计算就
会得到探测器性能的虚假提高.有效光敏面的扩大还会导致元件之间串音,使列阵成像模糊。
因此有效光敏面面积扩大的问题已成为小尺寸探测器设计中一个不容忽视的重要环节.本文中
在利用常规工艺形成的短波碲镉汞光伏器件上进行了保护环结构的大胆尝试.并利用激光诱导电流
(LBIc)检测技术和变磁场电流.电压(I-V)谱的方法对保护环结构在抑制收集效应中的作用进行
了研究,并取得了较为满意的效果.
2.样品制备
实验中使用盼样品共6个。分别在3片不同的碲镉汞体材料晶片上备取一对。均采用常规光伏
器件工艺形成的n+-on-p型碲镉汞芯片:即在区熔掺杂生长的大组分P型材料上,经生长ZnS阻挡
镀一层金属电极。分别引出进行测试.样品编号与材料参数见表1。
我们在样品一些元件的光敏元外围设计了一条宽40/Jm的保护环,离开光敏面的距离分别为
图如图l所示.
3.实验原理
3.1激光诱导电流(LBIC)
实验利用了红外物理国家实验室的激光诱导电流(LBIc)检测系统,该系统利用了显微拉曼光
谱仪中一部分高性能的硬俘设备建立起来的,图2是它的系统结构框图.硬件部分包括激光光源、
p
度达O.1 u
m;③实验中使用的是50倍的工作物镜,这时的光斑尺寸约为1.5m。利用这个与器件
光敏元相比足够小的光源照射样品。在样品的特定区域产生电子.空穴对。然后移动样品台进行扫描,
通过观察两侧电场的变化,可以确定电活性的杂质、缺陷簇、材料的不均匀性和p-n结构等.是一
种很有用的无损伤测试分析工具,其典型的测试曲线如图3所示(略).
表1实验中所使用的体材料样品编号及材料参数
材料编号 I弗 2嚣 3襻
纽分(J) 0.59 0.503l 0.4697
堆大透射率(rmax) 57% 56% 53%
3i£温电阻率(p300K) 96.6口-cIll l7.8Q·cm 86.4Q-cm
寮温窄穴浓度【P300K) 1 01’cm’’ 8.50x1 1.62×l
5.53x 0I,cm‘, 0”cm’,
窿温空穴迁移率(F300K)1220em2V‘1S。’
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