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第七章 半导体存储器 本章介绍各种半导体存储器的工作原理和使用方法。 首先介绍两大类半导体存储器ROM（只读存储器）和RAM （随机存储器）的工作原理和特点，其次讲述存储器存储容量的扩展方法及用存储器实现组合逻辑电路的方法。 7-1概述 半导体存储器：能存储大量二值信息的半导体器件。 1. 指标：如现在存储容量可达1G位/片，存取 速度可达10纳秒，LSI。 注：因为半导体存储器的存储单元数目极其庞大而器件的引脚数目有限，所以在电路结构上就不可能把每个存储单元的输入和输出直接引出。所以在存储器中给每个存储单元编了一个地址，只有被输入地址代码选中的那些存储单元才能与公共的输入/输出引脚接通，进行数据的读写。 2. 分类： 只读存储器（ROM）在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速地修改或重新写入数据。ROM优点是电路结构简单，断电不丢失数据。分类有： 固定ROM（掩膜ROM） 可编程ROM（PROM） 可擦除的可编程ROM （EPROM） 随机存储器（RAM）在正常工作状态下就可以随时向存储器进行读写操作。分类有： 静态RAM（SRAM） 动态RAM（DRAM） 7-2 只读存储器（ROM） 一 掩膜ROM 1. ROM的结构：地址译码器、存储矩阵、输出缓冲器 实例一：二极管矩阵地址译码器（与）存储矩阵（或）W3和D3的等效电路如下页 为与或式 实例二：MOS管存储矩阵的逻辑图如下页、数据表见P367 ，该电路中的MOS管有的等效为电阻、有的等效为二极管。逻辑功能与实例一完全相同。 2. 存储容量的计算： 存储单元数=字数×位数=2 ×M， N=地址线数，M=输出端数。 二 可编程ROM（PROM） 在存储单元加熔断丝， 读/写放大器： 读出时所需电压低， 写入时经稳压管所需电压高， 仍为ROM。 存储容量=16×8。 三 可擦除的PROM（EPROM） 最早的EPROM是用紫外线照射进行擦除的，被称为EPROM。我们平常说的EPROM就是指的这种用紫外线擦除的可编程ROM（Ultra-Violet Erasable Programmable Read-Only Memory，简称UVEPROM），后来出现用电信号可擦除的可编程ROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，简称E2PROM)。再后来出现的快闪存储器（Flash Memory）也是一种用电信号擦除的可编程ROM。 EPROM与PROM在总体结构形式上没有多大区别，只是存储单元的结构不同。 1．EPROM（UVEPROM）紫外线擦除；写入电压几十伏，读出电压几伏。 ①???? FAMOS管（浮置栅）如下图 P沟道，注入负电荷，导通=1，两管结构； ②???? SIMOS管（叠栅）如下图 N沟道，未注入电荷，导通=0，注入负电荷，不通=1，单管结构。集成度高。 下图电路存储容量：256×1位  2. E PROM（电擦除） ①存储单元采用浮栅隧道氧化层MOS管（Flotox），见下图，栅、漏间有隧道区，厚度200纳米以下，两管电路； ②读出(a)+3V电压,写入(c)、擦除(b)电压+20V、10毫秒的脉冲电压。 3．快闪存储器（Flash Memory） ①采用浮置栅与村底间有隧道区，厚度仅为10-15纳米，写入电压几伏，擦除电压12V、100微妙正脉冲。 ②单管电路，集成度高。 7-3随机存储器（RAM） 一 SRAM（静态）：用触发器存储二值信息。 1．SRAM的结构和工作原理：功能表如下 CS R/W 工作状态 1 × 禁止 0 1 读出 0 0 写入 ①?逻辑框图 P375，地址译码器、存储矩阵、 读/写控制电路， ②??例见下图 LSI 2114（1024×4位） 2． 静态存储单元：NMOS六管静态存储单元的结构如右图 行、列全被选中可写入（+3V）或读出（+3V）。 CMOS六管静态存储单元 双极型的静态存储单元 二 DRAM*（动态RAM） 用PN结的结电容存储电荷。 刷新保持电压， P380为四管存储单元， 要加一些外围设备。见P384框图。 7-4存储器容量的扩展 一 位（字长）扩展方式： 地址线、读/写控制线、线并联， 以2片2114构成1024×8为例画图如下图。 P385，8片构成1024×8。  二 字（字数）扩展方式： 地址线、读/写控制线、I/O线