湖南大学微电子电路期末考试题绝缘栅型.pptVIP

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湖南大学微电子电路期末考试题绝缘栅型.ppt

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湖南大学微电子电路期末考试题绝缘栅型

2.5.2 绝缘栅型场效应管;? 输出特性;N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见图： D(Drain)为漏极，相当c； G(Gate)为栅极，相当b； S(Source)为源极，相当e。 N沟道增强型MOSFET结构示意图; ;; 若0＜uGS＜uGS(th)时，空穴向P衬底下方排斥，出现薄层负离子的耗尽层。耗尽层中少子向表层运动，不足以形成沟道将漏源沟通，所以不可以形成漏极电流ID。; 当uDS增加到使uGD=uGS(th)时，相当于uDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。; 转移特性曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm 的量纲为mA/V，所以 gm也称为跨导。跨导的定义式如下 gm=?iD/?uGS? UDS=const (单位mS);漏极输出特性曲线; 二、N沟道耗尽型MOSFET; uGS＜0时，随着uGS的减小，沟道消失，漏极电流逐渐减小，直至iD=0。对应iD=0的uGS称为夹断电压，用符号uGS(off) （小于0）或uP表示，与N沟道结型FET的区别：栅源电压的极性。 ; 三、P沟道MOSFET