高分子辅助沉积法（PAD）制备LaBaCo2O5+δ薄膜的研究.pdfVIP

第33 卷 第12 期 电 子 元 件 与 材 料 Vol .33 No. 12 20 14 年12 月 ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS Dec. 20 14 研究与试制 高分子辅助沉积法(PAD)制备LaBaCo O 薄膜的研究 2 5+δ 洪敦华，高 敏，潘泰松，张 胤，林 媛 (电子科技大学 电子与固体电子学院电子薄膜和集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054) 摘要: 用高分子辅助沉积法在 Si(001)基底上以 SiO 为缓冲层成功地制备出 LaBaCo O (LBCO)薄膜。X 射线 2 2 5+δ 衍射谱证明了 LBCO/Si (001)薄膜是(111)择优取向的单相赝立方结构。从 LBCO 薄膜样品的 SEM 照片可以看出， LBCO 薄膜的晶粒大小并不均匀，其大的晶粒尺寸为 1～2 µm，小的晶粒尺寸为 0.1～0.2 µm；同时，可以明显观察 到一些小的空隙, 这些空隙有利于氧气的吸附及扩散。在 LBCO 薄膜的电阻(R)-温度(t) 曲线测试中，电阻随温度的 升高先急剧下降后缓慢下降，表明 LBCO 薄膜具有典型的半导体材料性质。LBCO 薄膜在纯氧和空气中电阻的最低 值分别为 36 Ω 和 382 Ω ，前者为后者的 1/10, 说明 LBCO 薄膜对氧气具有敏感性。 关键词: 钙钛矿；薄膜；高分子辅助沉积法；X 射线衍射；表面形貌；电输运性质 doi: 10.14106/ki.1001-2028.2014.12.008 中图分类号:O484 文献标识码:A 文章编号:1001-2028 （20 14 ）12-0029-04 Growth of LaBaCo O thin films on Si (001) substrate by 2 5+δ polymer-assisted deposition technique HONG Dunhua, GAO Min, PAN Taisong, ZHANG Yin, LIN yuan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) Abstract: The LaBaCo2O5+δ (LBCO) thin films were deposited on Si (001) substrate with an amorphous SiO2 buffer layer by the polymer-assisted deposition technique. Microstructures were examined by X-ray diffraction (XRD) techniq