吉大 通信数电课件 第7章大规模集成电路.ppt

7.2　只读存储器 7.2.1、ROM 的结构和工作原理 7.2.2ROM 的分类 7.2.3ROM应用 一、RAM 的结构、类型和工作原理 * 7.1 概述 数字电路集成度越来越大 SSI MSI LSI VLSI ASIC(专用集成电路） 第 7 章　大规模集成电路 可编程逻辑器件 可编程只读存储器（PROM) 可编程可擦除只读存储器（EPROM） 通用阵列逻辑（GAL ） 现场可编程门阵列 （FPGA) 在系统可编程逻辑器件(ispPlD ） （1）密度越来越高 单片密度已达十万、几十万、甚至几百万门，已进入超大规模和甚大规模阶段。 （2）设计工具不断完善 现有的设计自动化软件即支持功能完善硬件描述语言如VHDL、Verilog等作为文本输入，又支持逻辑电路图、工作波形图等作为图形输入。 如: quartusII ，altium designer ,multisim. 　　例如计算机中的自检程序、初始化程序便是固化在 ROM 中的。计算机接通电源后，首先运行它，对计算机硬件系统进行自检和初始化，自检通过后，装入操作系统，计算机才能正常工作。 二、半导体存储器的类型与特点 只读存储器(ROM，即Read-Only Memory) 随机存取存储器(RAM，即Random Access Memory) 　　RAM 既能读出信息又能写入信息。它用于存放需经常改变的信息，断电后其数据将丢失。常用于存放临时性数据或中间结果。 例如 计算机内存就是 RAM 　　ROM 在工作时只能读出信息而不能写入信息。它用于存放固定不变的信息，断电后其数据不会丢失。常用于存放程序、常数、表格等。 一、半导体存储器的作用 存放二值数据,存储单元；存储容量。 由存储距阵、地址译码器组成 输出缓冲器：提高带负载能力；三态控制，以便连接总线；规范逻辑电平。可以是三态门或OC门 　　MOS管栅极与字线连接，该单元是存“1 ”，反之存“0”。 　　字线与位线的交叉点即为存储单元。 　　每个存储单元可以存储 1 位二进制数。 　　交叉处的圆点 “ ”表示存储 “1”；交叉处无圆点表示存储 “0”。 　　从位线输出的每组二进制代码称为一个字。一个字中含有的存储单元数称为字长，即字长 = 位数。 4 ? 4 存储矩阵结构示意图 W1 W2 W3 D0 D1 D2 D3 字线 位线 W0 D0存的是1111，即D0=W0+W1+W2+W3 2. 存储容量及其表示 用“M”表示“1024 K”，即 1 M = 1024 K = 210 K = 220 。 2. 存储容量及其表示 指存储器中存储单元的数量 例如，一个 32 ? 8 的 ROM，表示它有 32 个字， 字长为 8 位，存储容量是 32 ? 8 = 256。 对于大容量的 ROM常用“K”表示“1024”，即 1 K = 1024 = 210 ； 例如，一个 64 K ? 8 的 ROM，表示它有 64 K 个字， 字长为 8 位，存储容量是 64 K ? 8 = 512 K。 一般用“字数 ? 字长(即位数)”表示 按数据写入方式不同分 掩模 ROM 可编程 ROM(Programmable ROM，简称 PROM) 可擦除 EPROM(Erasable PROM，简称 EPROM) 电可擦除 E2PROM(Electrically EPROM，简称 E2PROM) 　　写入的数据可电擦除，用户可以多次改写存储的数据。使用方便。 　　其存储数据在制造时确定，用户不能改变。用于批量大的产品。 　　其存储数据由用户写入。但只能写一次。 　　写入的数据可用紫外线擦除，用户可以多次改写存储的数据。 3. 存储单元结构 3. 存储单元结构 (1) 固定 ROM 的存储单元结构 二极管 ROM TTL - ROM MOS - ROM Wi Dj Wi Dj VCC Wi Dj +VDD 1 　　接半导体管后成为储 1 单元；若不接半导体管，则为储 0 单元。 (2) PROM 的存储单元结构 　　PROM 出厂时，全部熔丝都连通，存储单元的内容为全 1(或全 0) 。用户可借助编程工具将某些单元改写为 0  (或 1) ,这只要将需储 0(或 1)单元的熔丝烧断即可。 熔丝烧断后不可恢复，因此 PROM 只能一次编程。 二极管 ROM TTL - ROM MOS - ROM Wi Dj Wi Dj VCC