LED发光原理与芯片制造36页.pptVIP

利用熔合设备将蚀刻好的晶片 放入该项设备，一段时间，使 蒸镀金属层之间或蒸镀金属与 磊晶片表层原子相互熔合，目 的形成ohmic.contact. 利用化学药水，通常是酸性药 水，将发光区裸露的金属层蚀 刻掉。 依晶片的晶粒晶格大小图案， 作第一次切割，目的是为方 便往后的晶粒点测。 如果晶片清洗不够干净，蒸镀系统不正常，会导致 蒸镀出来的金属层（指蚀刻后的电极）会有脱落，金属层外观变色，金泡等异常。蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定晶片，因此会产生夹痕。黄光作业中若显影不完全及光罩有破洞会在发光区产生残金残铝。化学作用中牵涉到浓度、时间、数量及反应速率等参数，因此对晶粒电极外观会有一致性的问题产生。例如有些电极脚会变细或消失。晶片在制程中，必须使用镊子及花篮、载具等，因此会有晶粒电极刮伤情形发生。经过测试后还进行二刀切割，可能会造成背面崩裂。 LED的测量参数： 评价LED要涉及到很多技术指标（参数）， 其主要的技术指标包括： 输入参数为电量的各项指标，即电学指标； 主要有：正向电压VF，正向电流VI，反向漏电流IR，工作时的耗 散功率PD。在高频电路中，还要考虑：结电容Cj和响应时间。 输出参数为光学的指标，也含光的强弱和波长等各项指标； 代表输入与输出之间电—光转换效率的指标；主要有：光功率效 率η，流明效率。 与LED器件性能有关的热学指标。主要有：热阻Rth,储存环境温 度与工作温度。 还有其他的如：防静电指标，失效率和寿命等。 LED的封装与应用 芯片制成以后，除了要对LED芯片的两个电极进行焊接，从而引出正负电 极外，同时还要对LED芯片和两个电极进行保护，这就要求封装工艺。 对LED的封装要实现输入电信号、保护芯片正常工作、保证可见光的输出， 其中既有电参数又有光参数的设计及技术要求。 常见的封装方式，包括引脚式封装、平面式封装。比较有名的有： 表面贴片二极管（SMD）和食人鱼封装技术。对大功率LED芯片封装，要求更 复杂。 在各种新兴的应用领域不断涌现的带动下，近些年LED市场规模得到了快 速提升。LED的应用领域已经从最初简单的电器指示灯、LED显示屏，发展到 LED背光源、景观照明、室内装饰灯、汽车照明等其他领域。由于LED具有寿 命长、无污染、功耗低的特点，未来LED还将逐步取代荧光灯、白炽灯，成为 下一代绿色照明光源。 未来展望 随着市场需求的增多， LED芯片产业升级步伐逐渐加快，LED芯 片产品整体走向高端。另一方面，随着 LED封装产业的快速发展， 也为LED芯片提供了广阔的市场需求。不断扩展的市场需求为LED 产业的发展提供了良好的环境。 现在各国都对LED产业的发展也给 予了大力支持。随着相关技术的发展， LED芯片的制造技术也越来 越重要。 有专家预称，在2010年以后LED将代替现有的照明灯泡， LED照 明的取代又称做“爱迪生时代的结束”， LED將是21世紀的明星产业。 我们大家一起努力。 加油，Go Go! * * LED的發光原理與芯片製造 Name: Merlin 转 Department: TD/PTD/BICMOS1 Date: 01/12/2010 Key Word: LED; PN Junction LED的发展，特别是芯片的发展 LED芯片的结构与发光原理 LED芯片的制造过程 LED的封装与应用 未来的展望 报告的主要内容： 发光二极管Light-Emitting Diode 是由数层很薄的掺杂半导体材料制成。当通过正向电流时，n区电子获得能量越过PN结的禁带与p区的空穴复合以光的形式释放出能量。 发光效率 lm/w 12.5 55 发光二极管的发展 年代 发光颜色 材料 发光效率lm/w 1965 红 Ge 0.1 1968 橙、黄 GaAsP 1 1971 绿 GaP 1 80年代 红 AlGaAs 10 90年代初 红、黄 GaAlInP 100 90年代 蓝、绿 GaInN 50 90年代 蓝 GaN 200 LED的发展，芯片的发展 可见光LED的发展史 发光效率高，节省能源 耗电量为同等亮度白炽灯的 10%-20%，荧光灯的1/2。 绿色环保 冷光源，不易破碎，没有电磁干扰，产生废物少 寿命长 寿命可达10万小时 固体光源、体积小、重量轻、方向性好 单个单元尺寸只有3~5mm 响应速度快，并可以耐各种恶劣条件 低电压、小电流 LED的优点 發光二極體產業結構 相關廠商 Substrate LPE VPE MOVPE 單晶材料--GaAs, GaP