10N65.650V,10A mos管。天玖隆科技精选.pdfVIP

N 沟道增强型场效应晶体管 N-CHANNEL MOSFET 10N65 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 9.5 A I D 650 V VDSS 0.95Ω Rdson（@Vgs=10V） 34 nC Qg 用途 APPLICATIONS 高频开关电源 High efficiency switch 电子镇流器 mode power supplies UPS 电源 Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS 产品特性 FEATURES 低栅极电荷 Low gate charge (典型值 20pF) 低 Crss Low Crss (typical 20pF ) 开关速度快 Fast switching 产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested 高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability RoHS 产品 RoHS product JCS10N65T 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 数 值 项 目 符 号 单 位 Value Parameter Symbol Unit JCS10N65CT JCS10N65FT 最高漏极－源极直流电压 VDSS 650 650 V Drain-Source Voltage 连续漏极电流