Cu互连及其关键工艺技术研究现状精选.pdfVIP

趋势与展望 end OutlookFultn Cu互连及其关键工艺技术研究现状 赵超荣，杜寰，刘梦新，韩郑生 (中国科学院微电子研究所，北京100029) 摘要：低介电常数材料和低电阻率金属的使用可以有效地降低互连线引起的延时。Cu因其 具有比灿及灿合金更低的电阻率和更高的抗电迁移能力而成为新一代互连材料。论述了cu互 连技术的工艺过程及其研究发展现状。对Cu互连技术中的阻挡层材料、电化学镀Cu技术以及化 学机械抛光技术等一系列关键工艺技术进行系统的分析和讨论。 关键词：铜互连；阻挡层材料；电化学镀铜；化学机械抛光 中图分类号：TN405．97文献标识码：A StatusonCuInterconnectionandIts Investigation KeyTechnologies Zhao Huan，Liu Chaorong，Du Mengxin，HanZhengsheng (Institute 100029，Ch／na) of黼k眦，Ch／neMacademy矿鲫砌聊，B嘣ing USeoflow-||}dielectricsandlOW metalscould decreasethe Abstract：The resistivity effectively delay causedinterconnectionline．Cubecomesthenew ofinterconneetion toits by generation material，owning Al and of lower and resistancethanorother resistivityhigher processdevelopment electromigration alloys．111e Cuintereonnectiona地described．ne such鼬barrierCu andCMP material， keytechnologies， electroplating mechanical anddiscussed． (chemical polishing)areanalyzed words：Cu Key interconnection；barriermaterial；Cuelectroplating；CMP EEACC：2220C 在过去的十几年间，各大集成电路制造商均投 0 引言 入大量的资源对Cu互连技术进行深入的研究。目 随着集成电路特征尺寸的不断减小，互连线所 前，Cu互连技术已经发展成为一项比较成熟的工 占面积超出实际器件所占面积，MOS晶体管的开 艺技术。但是随着IC行业不断向前发展，Cu互连 关速度对集成电路延时的影响减小，互连线的RC 技术遇到了巨大的挑战。本文集中对Cu互连及其 延时成为影响电路速度的主要问题。因此，寻找电 关键