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电化学法提纯项目可行性报告
电化学法提纯项目可行性报告项目名称:磷酸二氘钾晶体溶液电化学法提纯领域:新材料起止时间:XX.1—XX.12一、立项的背景和意义 人工晶体材料的研究在材料领域乃至整个高技术发展领域中都具有前沿性、基础性。我们即将全面进入数字化的信息时代,信息技术必将是未来文明的焦点所在。2l世纪的信息技术将是微电子、光电子和光子技术结合的高技术。光电信息功能材料是现代信息社会的支柱,要实现信息技术更高、更新、更快的发展,离不开信息功能材料作支撑。人工晶体是重要的信息功能材料,在发展迅速的电子、光电子和光子材料中占有重大比重。例如,声表面波器件材料,RGB发光材料及其衬底材料、光通讯用的激光器、调制器、接收器、隔离器等,所用材料绝大部分均属于人工晶体。 激光晶体材料是国家重点扶持技术领域之一,培育高质量KD*P晶体曾列入“863计划95期间27项重大项目”。由于国外对我国封锁高质量、大口径KD*P晶体及技术,对此研发愈显重要。高质量KD*P晶体不但可以出口创汇,更重要的是,它对我国激光技术,光电信号传输的发展和核聚变研究具有重要的战略意义。 磷酸二氘钾(简称DKDP或KD*P)晶体是一种性能优良的电光与非线性光学晶体,其半波电压低、电光系数和非线性系数大、透光波段宽、光学均匀性好。广泛应用于激光的调谐和调频、电光调制、声光调制等高技术领域。近年来,随着激光约束核聚变(ICF)的发展、子光束的增加和输出能量的提高,对作为Q开关和二、三倍频的KD*P晶体的尺寸、数量和光学质量都提出了更高的要求。传统的生长KD*P晶体的方法存在生长速度慢,晶体尺寸小,质量不稳定等问题,因此如何生长出高质量、高产量、低成本晶体渐成为目前晶体行业研究重点。 在参考国内外先进技术的基础上,我单位自2003年1月起与相关科研机构专家合作进行KD*P晶体生长工艺计算机控制等方面的研究,目前已形成一套较为合理的KD*P晶体生长工艺,研制出的晶体质量达到了国际水平,目前正在对该工艺进行工业化研制。二、国内外现状和发展趋势 四方相KD*P晶体在亚稳相溶液中生长技术由山东大学蒋民华院士于1975年国际首创。由于该晶体在亚稳相溶液中生长时极易被毫无价值的单斜相晶体干扰、蚕食,因此,培育四方相KD*P晶体工艺复杂,国内至今没有一家质量、产量稳定的单位,只有几家科研单位在实验室中生产少量晶体。福建福晶公司使用中国科学院福建物构所“水浴法培育四方相KD*P晶体”专利后,生产的晶体质量不稳定,重水溶液含氘量下降快,经济效益低。目前,发达国家都在争相研制高质量四方相KD*P晶体生产工艺,但生产工艺水平与国内基本相同,晶体体积小、质量差,难以满足军事、工业方面的需要。因此,利用现今先进的技术设备,综合多学科理论知识应用于晶体生产工艺,研制、培育高质量、高产量、低成本四方相KD*P晶体势在必行。 山东晶艺光电器材有限公司生产KD*P晶体工艺稳定,生产线路新颖,生长成功率高,现今已经研制出内部无生长纹、散射颗粒少、电阻率大于2G的优质光电晶体,并准备创建流动法生长大口径KD*P晶体。三、现有研究基础、特色和优势 我单位近年来针对KD*P晶体的复杂生产工艺进行了多学科研究,在参考国内外先进技术的基础上,我单位与相关科研机构专家合作,进行KD*P晶体生长工艺计算机控制等方面的研究,已形成一套较为合理的KD*P晶体生长工艺,在此期间,培养出晶体生长研究人员5名,目前正在对该工艺进行工业化研制:①将实验室研制技术提高到工业化生产水平; ②将人工计算配料、人工经验控制培育晶体发展为计算机配料,电脑编程控制生长,并模拟晶体生长的形态过程。 ③辅助系统保持溶液配制、晶体生长过程中重水溶液含氘量的稳定性; ④将培育晶体控温区从40~27℃扩展为52~12℃,关键工艺降低单斜相晶体对四方相KD*P晶体的干扰、蚕食。具有培育高质量、大口径、低成本KD*P晶体的基础。 KD*P晶体国际国内至今没有技术指标标准,我单位培育的晶体经专家鉴定:质量、体积国内领先。少量样品由福建福晶公司、济南弘智公司出口美国、德国后,受到了用户好评。XX年销售额100多万元,XX年可实现出口额230万人民币,净利润150万元。 在参考国内外先进技术的基础上,我单位与相关科研机构专家合作,进行DKDP晶体生长工艺计算机控制等方面的研究,已形成一套较为合理的DKDP晶体生长工艺:使用光浴法、辅助系统保持重水溶液含氘量的稳定性、电脑编程控制晶体生长形态过程是完善培育高质量、大口径、低成本KD*P晶体工艺技术的基础,磷酸二氘钾晶体溶液电化学提纯是减少晶体内部散射颗粒的必要措施。四、应用或产业化前景、市场需求。 20世纪60年代初,激光技术出现后,KDP家族晶体(特别是KDP和DKDP晶体)广泛应用于激光的调谐和调频、电光调制、声
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