光刻技术知识问与答精选.pdfVIP

何谓 DUV ？ 答：曝光过程中用到的光，其波长为 248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较 好，用于较为重要的制程中。 I-line与DUV主要不同处为何? 答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35 微 米以上）或者较先进制程（0.35 微米以下）的Non-Critical layer 。DUV则用在先进制程的Critical layer上。 何为Exposure Field? 答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域 何谓 Stepper? 其功能为何? 答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去 何谓 Scanner? 其功能为何? 答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan 完整個field, Scan完後再移到下一個field. 何为象差？ 答：代表透镜成象的能力,越小越好. Scanner比Stepper优点为何？ 答：Exposure Field大，象差较小 曝光最重要的两个参数是什幺？ 答：Energy(曝光量), Focus(焦距) 。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率 和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维 持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。 何为Reticle? 答：Reticle也称为Mask ，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过 曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。 何为Pellicle? 答：Pellicle是Reticle上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层 保护膜。 何为OPC光罩？ 答：OPC (Optical Proximity Correction)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩， 例如，0.18 微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。 何为PSM光罩？ 答：PSM (Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contact layer 以及较小CD的Critical layer （如AA ，POLY ，METAL1 ）以增加图形的分辨率。 何為CR Mask ？ 答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊 0 與 1 干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer 光罩编号各位代码都代表什幺？ 答：例如 003700-156AA-1DA, 0037 代表产品号，00 代表Special code,156 代表layer,A代表客 户版本，后一个A代表SMIC版本，1 代表FAB1 ，D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A代表 ASML机台（如果是C，则代表Canon机台） 光罩室同时不能超过多少人在其中？ 答：2 人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。 存取光罩的基本原则是什幺？ 答：(1) 光罩盒打开的情况下，不准进出Mask Room,最多只准保持 2 个人(2) 戴上手套(3) 轻 拿轻放 如何避免静电破坏Mask ？ 答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。 光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？ 答：不能放在一起，之间至少要有 30 公分的距离，防止搬动FOUP 时碰撞光罩Pod而损坏光 罩。 何谓 Track? 答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer 的前、后处理，Coating(上光阻) ，和 Develop(显影)等过程。 In-line Track机台有几个Coater槽，几个Developer槽？ 答：均为 4 个 机台上亮红灯的处理流程？ 答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时 Call E.E进行处理。若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN 。 何谓 WEE? 其功能为何? 答：Wafer Edge Exposure 。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到 较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此 将Wafer Edge 的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。 何为PEB