8第八章 半导体表面与MIS结构.pdfVIP

本课程的主要内容 第八章 半导体表面与MIS结构 第九章 半导体异质结 第十章 半导体的光学性质和光电与发光现象 第十一章 半导体的热电性质 第十三章 非晶态半导体 一、半导体理论的发展历史 1、19世纪末、20世纪初，量子理论、固体理论的完善为半导 体理论和技术的诞生奠定了理论基础； 2、1947年12月23日，世界上第一支晶体管诞生于贝尔实验室； 3、1952年英国人达默提出了集成电路的设想； 4、1958年由德州仪器公司的基尔比领导的小组研制出了世界 上第一块集成电路； 5、上世纪50年代末，半导体理论趋于成熟和完整。 二、发展趋势 1、高集成度； 2、大容量； 3、系统化； 4、多功能。 三、当前研究的热点 1、特征尺寸进入纳米尺度； 2、电路结构走向SOC； 3、低功耗、低电压驱动； 4、能带工程； 5、稀磁半导体。 四、微电子技术面临的挑战 ★ 缩小工艺的特征尺寸 ★ 扩大硅片直径 历来都是推动微电子技术进步的 “两个车轮” 目前这两个车轮都遇到了阻碍 ★ 瓶颈技术是光刻技术 目前采用193nm浸液式，再加上两次图形曝光技术已经可以 实现20nm工艺技术的量产。下一代14nm可能是个坎儿， ★ 解决途径 其一采用更复杂的三次图形曝光技术，但会大幅度增加工艺 复杂度（即曝光次数）和制造成本； 其二是采用具有革命性的14nmEUV光刻技术（EUV是指波 长为13.5nm的远紫外光曝光技术）。但目前EUV光源的输出功 率仅为10~20W，还远远达不到量产所需的250W 。 ★ 成本等综合因素的限制 目前硅片直径正由300nm 向450nm过渡，理论上讲，硅片直 径的增大是迟早会被采用的，因为硅晶圆面积被放大了2.25倍， 但其成本仅增大约30% 。 ★ 半导体业界对450nm晶圆的热情还不强烈 首先半导体设备制造商的积极性就不高，害怕450nm设备高 达200亿美元的研发成本可能无法收回； 其次，半导体器件制造商的积极性也不高，唯恐高达100亿 美元的建厂费用无法收回。目前对于450nm有能力、有兴趣的芯 片制造商仅有三家，即英特尔、三星和台积电。 五、我国2012年微电子产业发展概况 2012年十大IC设计企业 排名 企业名称 销售额（亿元） 1 深圳市海思半导体有限公司 74.2 2 展讯通信有限公司 43.8 3 锐迪科微电子（上海）有限公司 24.6 4 中国华大集成电路设计集团有限公司 16.1 5 杭州士兰微电子股份有限公司 12.6 6 格科微电子（上海）有限公司 11.8 7 联芯科技有限公司 11.7 8 深圳市国微科技有限公司 11.2 9 北京中星微电子有限公司 11.0 10 北京中电华大电子设计有限责任公司