数字电路7半导体存储器.pptVIP

第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 　　单元数庞大　　　　　输入/出引脚数目有限 一、一般结构形式 7.2 　只读存储器ROM 　　　　使用中只能读不能写，但掉电后信息不会丢失。 两个概念： 存储矩阵字线与位线的交叉点，即是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量——字数M?字长N（位bit）(1B=8b) 　　　　　如：1024×4 b（即1 K×4 b） 　　　1024=1K；1024K=1M；1024M=1G；1024G=1T 7.2.2 可编程ROM（PROM） 　总体结构与掩膜ROM一样，但存储单元不同，由三极管与熔丝组成。 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构也与掩膜ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UV-EPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM　 Electrically Erasable） 7.3 RAM　　　　使用中可读可写，但掉电后信息会丢失。 7.3.1 静态随机存储器（SRAM）－－使用无需刷新 一、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 7.3.2* 动态随机存储器（DRAM）－－使用时需定时刷新 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 7.4 存储器容量的扩展　当存储器芯片的容量不够时，可以通过对片选端的控制实现对存储器字数和位数的扩展。 7.4.1 位扩展方式 　　　适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 　　　接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见：若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 二、举例 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器(Read-Only-Memory）： 　　　掩膜ROM、可编程ROM、可擦除的可编程ROM ②随机读/写存储器（Random-Access-Memory） 　　　静态RAM、动态RAM 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 输入/出电路 I/O 输入/出控制 地址译码器 　存储矩阵 地址输入 输出缓冲器 数据输出 三态控制 地址译码器 　存储矩阵 地址输入 1.存储矩阵——存放数据的主体 　 字——存储器中信息的读出或写入是以“字”为单位进行的（每次写入或读出一个字）。一个字有若干位数据，每位数据各自存放在一个存储单元中。为区别不同的字，将存放同一个字的各位数据的存储单元编为一组，并赋予一个号码，称为地址。不同字的单元具有不同的地址。 字长——构成存储器字中的二进制位数。字长有1、4、8、16、32位等，一般把8位字长称为1字节（Byte），16位字长称为1字（Word）。 2.地址译码器 ——产生存储器“字”的地址，以决定访问哪个字单元 3.输出缓冲器 ——采用三态门组成，能提高存储器带负载能力，也便于与系统总线相连。 7.2.1 　掩膜ROM（固定ROM） 　　　　 ——数据在工厂制作时写入，使用时不能更改。 　　　　　出厂时经固定，不能更改，适合大量生产简单，便宜 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 D0 Dm W0 =A1’A0’ W1 =A1’ A0 W2 =A1A0 ’ W3 =A0A1 D0 =Σm(0,1) D1 = Σm(1,3) D2 = Σm(0,2,3) D3 = Σm(1,3) 位线 (位数：4) 字线 (字数：4) 与阵列 或阵列 W0 W(2n-1) 　掩膜ROM的特点：出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，数据不易丢失 　　它有两个重叠的栅极：控制栅Gc和浮栅Gf。Gc用于控制读出和写入，Gf用于长期保存注入其中的电荷。 　　在浮置栅Gf上未注入电荷时，SIMOS管相当于增强型NMOS管，控制栅Gc上加高电平则SIMOS管导通。但若Gf注入负电荷以后，Gc上加正常高电平（如＋5 V）， SIMOS管不导通。必须给Gc上加更高的电压才能抵消浮栅的负电荷的影响而使SIMOS管导通。  　　当控制栅加上较高的电压（幅度约＋25 V），将产生雪崩击穿。雪崩产生的一些速度较高的电子在栅极电场的作用下会越过SiO2层而注入浮栅，使其带上负电荷。此过程即“写入” 。 　为克服UVEPROM擦除慢，操作不便的缺点，采用FLOTOX（浮栅隧道氧化层MOS管） 　1、地址译