伯乐大典之数电第5章半导体器件基础.pptVIP

三极管的分类： 按材料分： 硅管、锗管 按功率分： 小功率管 500 mW 按结构分： NPN、 PNP 按工作频率分： 低频管、高频管 大功率管 1 W 中功率管 0.5 ?1 W 按工艺分： 扩散型、合金型和平面型 一些常见三极管外形 晶体管在电路中有三种连接方式： 为了使晶体三极管工作在放大状态，要求： 发射结正偏、集电结反偏 5.3.2 晶体三极管的电流放大原理 1. 放大的概念 放大作用是一种能量控制作用，放大的对象是变化量，能够将微小的变化量不失真的放大输出。放大作用是通过放大电路来实现的，放大电路的核心元件是晶体管。 2. 晶体管放大的条件 内部条件：在制造晶体管时需保证其发射区掺杂浓度高；基区很薄且掺杂浓度低；集电结面积大。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 3) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 IC 1) 发射区向基区注入多子电子，形成发射极电流 IEN。 I CN 多数向 BC 结方向扩散形成 ICN。 IE 少数与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) I CBO IB 2)电子到达基区后 (基区空穴运动因浓度低而忽略) IEP IEN IC 3. 放大的机理 显然：IE=IB+IC 基区低浓度掺杂、集电极大量收集，起到小的IB控制大的IC输出的放大作用。 4. 电流放大系数 ①共射直流电流放大系数 ②共射交流电流放大系数 ③共基直流电流放大系数 ④共基交流电流放大系数 ⑤ 和 的关系 5.3.3 三极管的特性曲线 iB=f(vBE)? vCE=const (2) 当vCE≥1V时 vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 (1) 当vCE=0V时 相当于发射结的正向伏安特性曲线。 1. 输入特性曲线 （以共射极放大电路为例） 图 vCE = 0V vCE = 0V vCE ? 1V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE (3) 输入特性曲线的三个部分 ①死区 ③线性区 ②非线性区 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， 发射结反偏,集电结反偏. 2. 输出特性曲线 饱和区：iC明显受uCE控制的区域，该区域内，一般uCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏 iC=f(vCE)? iB=const 输出特性曲线的三个区域: 放大区：iC平行于uCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 饱和区 截止区 放大区 + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE * 三极管四种状态 集电结 运用状态 发射结 正偏 反偏 正偏 饱和状态 放大状态 反偏 反向放大状态 截止状态 晶体三极管的工作状态 5.3.4 三极管的参数 晶体三极管的主要参数有三类：电流放大系数、极间反向电流和极限参数。 1．电流放大系数：表征三极管电流放大能力的参数。 由α和β的定义及三极管的电流分配关系，可得 2．极间反向电流：表征管子工作稳定性的参数。 ① 集电极-基极反向饱和电流ICBO 指发射结开路时，集电结的反向饱和电流。 ② 集电极-发射极反向饱和电流ICEO 指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流。 ICEO 与ICBO 之间的关系为 3．极限参数：表征三极管安全工作要求的参数 ① 集电极最大允许电流ICM 指三极管共射电流放大系数β下降到正常值的2/3 时，集电极的电流IC ② 集电极最大允许功耗PCM 指集电结允许功率损耗的最大值 ③ 反向击穿电压 U（BR）CEO：指基极开路时，加在集-射之间的反向击穿电压。 U（BR）CBO：指发射极开路时，加在集-基之间的反向击穿电压。 U（BR）EBO：指集电极开路时，加在射-基之间的反向击穿电压。 1. 三极管的等效模型 ①当满足发射结反偏，集电结也反偏时 三极管工作在截止区，则有IB=IC=IE=0 共射输入端口和输出端口都相当于开路 ②当满足发射结正偏，集电结也正偏时 三极管工作在饱和区，则三极管共射输出电压UCE小于0.7V，深度饱和时为0.3V,因此在数字系统中看成是低电平。 5.3.6 含三极管的电路分析 ③当满足发射结正偏，而集电结反偏时 三极管工作在放大区，此时无